[发明专利]GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法有效
| 申请号： | 201410229185.3 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103985655A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 尤杰;郭国平;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤；b.基片预处理步骤；c.量子点的制备步骤；和d.量子点样品的分块封装步骤。 | ||
| 搜索关键词： | gaas algaas 半导体 异质结 结构 栅极 量子 制备 方法 及其 测量方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤，其中依次生长GaAs衬底(101)、AlGaAs缓冲层(102)、AlGaAs掺杂层(103)、AlGaAs隔离层(104)和表面的GaAs盖帽层(105)，从而形成稳定的二维电子气结构(106)；b.基片预处理步骤，其中将基片清洗干净；c.量子点的制备步骤，其中通过刻蚀制成二维电子导通平台(100)结构，得到所述二维电子气结构(106)中的二维电子气区域；再通过进行光学曝光、镀膜和金属剥离，制备欧姆接触电极(200)和位于表面的金属栅极(300)；最后通过进行电子束曝光、镀膜和金属剥离，得到量子点区域的金属小电极(400)，形成中间的量子点(QD)区域(500)和量子点接触(QPC)通道(600)，所述金属小电极(400)与金属栅极(300)的尖端相连；d.量子点样品的分块封装步骤，其中将制备完成的量子点样品基片进行封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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