[发明专利]一种自对准双层图形的形成方法在审
| 申请号： | 201410217626.8 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103972076A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;黄君 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准双层图形的形成方法，包括以下步骤,提供一半导体衬底，且在半导体衬底上依次形成有氧化硅层、多晶硅层、无定形碳层、硬掩膜介质层和光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光显影；通过刻蚀工艺依次对硬掩膜介质层和无定形碳层进行刻蚀，以形成无定形碳核心图形；在无定形碳核心图形侧壁、顶部表面以及多晶硅层上表面形成氮化硅层；去除无定形碳核心图形顶部表面的氮化硅层，以及多晶硅层上表面的氮化硅层，以形成氮化硅侧墙；去除无定形碳核心图形，并以所述氮化硅侧墙为阻挡层对多晶硅层进行刻蚀；去除所述氮化硅侧墙，形成自对准双层图形。本发明利用上述方法最终可形成的刻蚀图形的侧壁形貌稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 双层 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双层图形的形成方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一半导体衬底，且在所述半导体衬底上依次形成有氧化硅层、多晶硅层、无定形碳层、硬掩膜介质层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光显影；步骤S02：通过刻蚀工艺依次对所述硬掩膜介质层和无定形碳层进行刻蚀，直到暴露出所述多晶硅层上表面和无定形碳层的顶部表面，以形成无定形碳核心图形；步骤S03：在所述无定形碳核心图形侧壁、顶部表面以及多晶硅层上表面形成氮化硅层；步骤S04：去除所述无定形碳核心图形顶部表面的氮化硅层，以及所述多晶硅层上表面的氮化硅层，以形成氮化硅侧墙；步骤S05：去除所述无定形碳核心图形，并以所述氮化硅侧墙为阻挡层对多晶硅层进行刻蚀；步骤S06：去除所述氮化硅侧墙，形成自对准双层图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
