[发明专利]FINFET结构及其形成方法

摘要

本发明涉及FinFET结构及其形成方法。使用具有掺碳外延硅层的体硅衬底制造带有鳍的结构。该结构的pFET区域包括硅锗鳍。这些鳍通过对所述结构进行退火以将含锗层与邻接的晶体硅层混合而形成。所述结构还包括nFET区域，所述nFET区域包括由所述晶体硅层形成的硅鳍。在所述nFET区域中的所述含锗层被去除，从而在所述nFET区域中的所述晶体硅层下方产生空间。在所述空间内提供绝缘材料。通过浅沟槽隔离区使所述pFET区域与所述nFET区域电隔离。

主权项

一种形成FINFET结构的方法，包括：获得包括体硅衬底、在所述衬底上的包含掺碳的硅的外延层、在所述掺碳的硅层上的外延含锗层、以及在所述含锗层上的包含晶体硅的层的结构；在所述结构上形成使所述结构的第一区域与所述结构的第二区域电隔离的隔离区；从所述结构的所述第二区域去除所述含锗层，由此在所述晶体硅层下方在所述第二区域内形成空间；在所述空间内形成绝缘层；热混合所述结构的所述第一区域中的所述含锗层和所述晶体硅层，从而形成包含硅锗的层；在所述第一区域中由所述硅锗层形成多个包含硅锗的鳍，以及在所述第二区域中由所述晶体硅层形成多个鳍。