[发明专利]功率半导体模块和具有该功率半导体模块的系统有效
| 申请号： | 201410190878.6 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104157635B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·约布尔;赖纳·波普;马可·莱德雷尔;斯特凡·魏斯 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/473;H01L23/42;H01L23/36;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 车文,张建涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种压力接触形式的用于布置在冷却构件上的功率半导体模块，其具有功率电子开关装置、壳体、第一负载联接元件以及第一压力装置。开关装置具有基底、内部的连接装置、内部的第二负载联接装置和第二压力装置。连接装置构造成复合薄膜。第二压力装置具有压力体，该压力体具有在朝向功率半导体结构元件的方向上凸出的第一压力元件，压力元件压到连接装置的区段上，这个区段在沿着功率半导体结构元件的法向方向的投影中布置在功率半导体结构元件的面之内。第一负载联接装置与第二负载联接装置的布置在压力体的上侧上的负载接触部位极性正确地直接电连接。本发明还涉及具有多个所述的功率半导体模块(1)以及冷却装置(7)的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 具有 系统 | ||
【主权项】：
一种压力接触形式的用于布置在冷却装置(7)上的功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块具有功率电子开关装置(10)、壳体(8)、向外伸出的第一负载联接元件(82、84、86)以及第一压力装置(6)，其中，功率电子开关装置(10)具有基底(2)、内部的连接装置(3)、内部的第二负载联接装置(42、44、46)和第二压力装置(5)，基底带有在其上布置的功率半导体结构元件(24、26)，其中，连接装置(3)构造成具有导电薄膜(30、34)和电绝缘薄膜(32)的复合薄膜并且因此构造出第一和第二主面(300、340)，并且其中，开关装置(10)借助连接装置(3)电路正确地在内部电连接，其中，第二压力装置(5)具有带第一凹部(504)的压力体(50)，第一压力元件(52)在朝向功率半导体结构元件(24、26)的方向上从所述第一凹部凸出地布置，并且其中，压力元件(52)压到连接装置(3)的第二主面(340)的区段(342)上，并且在此，所述区段在沿着功率半导体结构元件(24、26)的法向方向的投影中布置在功率半导体结构元件(24)的面(242)之内，其中，第一负载联接装置(82、84、86)与第二负载联接装置(42、44、46)的布置在压力体的上侧上的负载接触部位(422、442、462)极性正确地直接电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛米控电子股份有限公司，未经赛米控电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410190878.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
- 下一篇：安全器件
- 同类专利
- 专利分类
