[发明专利]MIM电容结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410186602.0 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105097765B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张贺丰;王晓东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MIM电容结构及其制作方法。该MIM电容结构包括：第一导电层；绝缘层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在绝缘层上，第一导电层、绝缘层和第二导电层的叠置方向为纵向，与纵向垂直的方向为横向，第二导电层包括一个或相互独立的多个第二介电材料部，由第二导电层的上表面向第二导电层中延伸。由于第二介电材料部的存在，在使原有的大面积凸起分散为较多小面积凸起的同时，也使得小凸起的高度相对于现有的大面积凸起的高度有所降低，因此使得位于电容结构上方的介电材料的凸起变得相对平整，进而有效地改善了后续曝光、刻蚀的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容结构，所述电容结构包括：第一导电层；绝缘层，设置在所述第一导电层上；第二导电层，设置在所述绝缘层上，所述第一导电层、所述绝缘层和所述第二导电层的叠置方向为纵向，与所述纵向垂直的方向为横向，其特征在于，所述第二导电层包括相互独立的多个第二介电材料部，由所述第二导电层的上表面向所述第二导电层中延伸，所述第二介电材料部的形状为轴线垂直于所述第二导电层的圆柱状。
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