[发明专利]绝缘体上硅器件及其金属间介质层结构和制造方法有效
| 申请号： | 201410178535.8 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105097776B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;王德进;马晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层结构，包括覆盖金属互连的富硅氧化物层、富硅氧化物层上的氟硅玻璃层、及氟硅玻璃层上的非掺杂硅酸盐玻璃层，所述富硅氧化物层的厚度为700埃±10％。本发明还涉及一种绝缘体上硅器件，以及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层的制造方法。本发明厚度较大的富硅氧化物层可以将可动离子俘获在不饱和键上，使得可动离子难以穿过富硅氧化物层，实现了阻挡可动离子的目的。在栅氧化层完整性评估中有良好的表现，避免了可动离子在界面处的聚集造成器件的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 器件 及其 金属 介质 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅器件的金属间介质层结构，所述绝缘体上硅器件包括埋氧层，其特征在于，包括覆盖金属互连的富硅氧化物层、富硅氧化物层上的氟硅玻璃层、及氟硅玻璃层上的非掺杂硅酸盐玻璃层，所述富硅氧化物层的厚度为700埃±10％。
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