[发明专利]一种套刻精度测量的图像结构及其套刻精度测量方法

摘要

本发明公开了一种套刻精度测量的图像结构及其套刻精度测量方法，套刻精度测量的图像结构包括：一被测图形，所述被测图形设置有N层的嵌套结构。该套刻精度测量方法，采用所述一种套刻精度测量的图像结构，采用光学显微镜测量套刻精度的设备对所述被测图形进行测量套刻精度以获取第j层与第i层之间套刻精度，所述第j层结构包括当前光刻层和目标层，所述第i层包括目标层，且i大于j。本发明的被测图形可以同时测量当前层与之前一个或多个目标层的套刻精度，采用同一组测量图形，节省测量时间，且可用于之前不同目标层之间的套刻精度测量，减少了芯片生产中套刻精度检测图形所占用的面积。

主权项

1.一种套刻精度测量的图像结构，其特征在于，包括：一被测图形，所述被测图形设置有N层的嵌套结构，所述N大于等于2，所述N层结构从内到外均呈口型排列，从第1层到第N层尺寸逐渐变大，所述第1层为当前光刻层形成，剩余层分别为目标层形成；采用光学显微镜测量套刻精度的设备对所述被测图形进行测量套刻精度以获取第j层与第i层之间套刻精度，所述第j层结构包括当前光刻层和目标层，所述第i层包括目标层，且i大于j；测量的具体过程为：每层的外边缘横向均对应两个横向坐标，每层的外边缘纵向对应两个纵向坐标，根据公式(1)获得第j层与第i层之间的横向套刻精度：(|xiL‑xjL|‑|xiR‑xjR|)/2      (1)其中，xiL表示第i层的目标层左侧横向坐标值，xiR表示第i层的目标层右侧横向坐标值，xjL表示第j层的左侧横向坐标值，xjR表示第j层的右侧横向坐标值，i大于等于2；根据公式(2)获取第j层与第i层之间的纵向套刻精度：(|yiU‑yjU|‑|yiD‑yjD|)/2      (2)其中，yiU表示第i层的目标层上方纵向坐标值，yiU表示第i层的目标层上方纵向坐标值，yjD表示第j层的下方纵向坐标值，yjD表示第j层的下方纵向坐标值。