[发明专利]一种套刻精度测量的图像结构及其套刻精度测量方法有效

专利信息
申请号: 201410164035.9 申请日: 2014-04-22
公开(公告)号: CN104465619B 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 戴韫青 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 套刻精度测量 图像结构 目标层 套刻 测量 光学显微镜测量 多个目标 精度检测 嵌套结构 图形设置 芯片生产 测量套 层结构 光刻层 可用 中套 占用
【权利要求书】:

1.一种套刻精度测量的图像结构,其特征在于,包括:一被测图形,所述被测图形设置有N层的嵌套结构,所述N大于等于2,所述N层结构从内到外均呈口型排列,从第1层到第N层尺寸逐渐变大,所述第1层为当前光刻层形成,剩余层分别为目标层形成;

采用光学显微镜测量套刻精度的设备对所述被测图形进行测量套刻精度以获取第j层与第i层之间套刻精度,所述第j层结构包括当前光刻层和目标层,所述第i层包括目标层,且i大于j;测量的具体过程为:

每层的外边缘横向均对应两个横向坐标,每层的外边缘纵向对应两个纵向坐标,根据公式(1)获得第j层与第i层之间的横向套刻精度:

(|xiL-xjL|-|xiR-xjR|)/2 (1)

其中,xiL表示第i层的目标层左侧横向坐标值,xiR表示第i层的目标层右侧横向坐标值,xjL表示第j层的左侧横向坐标值,xjR表示第j层的右侧横向坐标值,i大于等于2;

根据公式(2)获取第j层与第i层之间的纵向套刻精度:

(|yiU-yjU|-|yiD-yjD|)/2 (2)

其中,yiU表示第i层的目标层上方纵向坐标值,yiU表示第i层的目标层上方纵向坐标值,yjD表示第j层的下方纵向坐标值,yjD表示第j层的下方纵向坐标值。

2.如权利要求1所述套刻精度测量的图像结构,其特征在于,所述口型为框型结构。

3.如权利要求1所述套刻精度测量的图像结构,其特征在于,所述口型由四个条型结构组成。

4.如权利要求1所述套刻精度测量的图像结构,其特征在于,邻近的两个层之间的距离大于5微米。

5.如权利要求3所述套刻精度测量的图像结构,其特征在于,由四个条型结构组成的口型为套刻封闭结构。

6.一种套刻精度测量方法,其特征在于,采用如权利要求1至5任一所述一种套刻精度测量的图像结构,采用光学显微镜测量套刻精度的设备对所述被测图形进行测量套刻精度以获取第j层与第i层之间套刻精度,所述第j层结构包括当前光刻层和目标层,所述第i层包括目标层,且i大于j;测量的具体过程为:

每层的外边缘横向均对应两个横向坐标,每层的外边缘纵向对应两个纵向坐标,根据公式(1)获得第j层与第i层之间的横向套刻精度:

(|xiL-xjL|-|xiR-xjR|)/2 (1)

其中,xiL表示第i层的目标层左侧横向坐标值,xiR表示第i层的目标层右侧横向坐标值,xjL表示第j层的左侧横向坐标值,xjR表示第j层的右侧横向坐标值,i大于等于2;

根据公式(2)获取第j层与第i层之间的纵向套刻精度:

(|yiU-yjU|-|yiD-yjD|)/2 (2)

其中,yiU表示第i层的目标层上方纵向坐标值,yiU表示第i层的目标层上方纵向坐标值,yjD表示第j层的下方纵向坐标值,yjD表示第j层的下方纵向坐标值。

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