[发明专利]组合薄膜制备装置和方法有效
| 申请号： | 201410128987.5 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103871845B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 袁洁;金魁;郇庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 刘锋;张靖琳 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种组合薄膜制备装置和方法。所述组合薄膜制备装置包括移动掩膜板、靶材基座和衬底基座；所述移动掩膜板为具有第一轴线的圆筒形，所述移动掩膜板根据控制围绕所述第一轴线旋转；所述移动掩膜板设置有至少一个掩膜图案窗口；所述靶材基座用于固定靶材，所述靶材基座固定地或可移动地设置于所述移动掩膜板的内侧；所述衬底基座用于固定沉积组合薄膜的介质衬底，所述衬底基座设置于所述移动掩膜板的外侧，并与所述靶材基座相对。本发明的组合薄膜制备装置和方法可以形成组分呈现直线梯度变化的组合薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 薄膜 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种组合薄膜制备装置，包括移动掩膜板、靶材基座和衬底基座；所述移动掩膜板为具有第一轴线的圆筒形，所述移动掩膜板根据控制围绕所述第一轴线旋转；所述移动掩膜板设置有至少一个掩膜图案窗口；所述靶材基座用于固定靶材，所述靶材基座固定地或可移动地设置于所述移动掩膜板的内侧；所述衬底基座用于固定沉积组合薄膜的介质衬底，所述衬底基座设置于所述移动掩膜板的外侧，并与所述靶材基座相对；其中，所述组合薄膜制备装置还包括设置于移动掩膜板和所述衬底基座之间的固定掩膜板，所述固定掩膜板在与所述衬底基座相对的位置设置有掩膜图案窗口；所述移动掩膜板设置有具有不同形状的第一掩膜图案窗口、第二掩膜图案窗口和第三掩膜图案窗口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410128987.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
