[发明专利]制造FinFET器件的方法有效
| 申请号： | 201410120011.3 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104733321B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;蔡庆威;王景祺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法，该方法包括在衬底上方形成第一介电层，以及然后蚀刻第一介电层和衬底以形成第一鳍和第二鳍。沿着第一鳍和第二鳍的侧壁形成第二介电层。在第一鳍和第二鳍的上方沉积保护层。去除位于第二鳍上的保护层的一部分和第一介电层，且然后对第二鳍凹进以形成沟槽。在沟槽中外延生长半导体材料层。去除保护层以显露第一鳍和第二鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 finfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成具有第一厚度的第一介电层；蚀刻所述第一介电层和所述衬底以形成第一鳍和第二鳍，所述第一介电层位于所述第一鳍和所述第二鳍之上；沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁形成厚度不同于第一厚度的第二介电层；在所述第一鳍和所述第二鳍上方形成保护层；去除所述第二鳍上的所述保护层的一部分和所述第一介电层；使所述第二鳍凹进以形成沟槽；在所述沟槽中凹进的第二鳍上外延生长半导体材料层；以及去除所述保护层以显露所述第一鳍和所述第二鳍，使得：所述第一鳍由衬底材料形成，并且所述第一介电层位于其顶部上且所述第二介电层位于其侧壁上；以及所述第二鳍由所述半导体材料层形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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