[发明专利]具有测试单元的半导体器件、电子器件和测试方法有效
| 申请号： | 201410101376.1 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104517938B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 裴柄郁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有测试单元的半导体器件、电子器件和测试方法，该半导体器件能够检测从硅穿孔（TSV）迁移的铜（Cu）离子所导致的有缺陷或有故障的部分，由此提高器件性能和可靠性。该半导体器件包括：半导体基板，其包括由器件隔离区限定的有源区；硅穿孔（TSV），其形成为穿过半导体基板；以及测试单元，其形成在TSV附近，以确定存不存在由TSV导致的金属污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试单元 半导体基板 电子器件 硅穿孔 器件隔离区 测试 金属污染 器件性能 源区 离子 迁移 穿过 检测 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括由器件隔离区限定的有源区；触点，其包含金属材料并形成在所述半导体基板上；以及测试单元，其形成在所述触点附近，用以确定由所述触点导致的金属污染，其中，所述触点包括穿过所述半导体基板的硅穿孔，并且所述测试单元形成在逻辑单元与所述硅穿孔之间的区域中，并且其中，所述测试单元包括：第一连接结构和第二连接结构，其在所述半导体基板上以预定距离相隔开；第三连接结构，其在所述第一连接结构与所述第二连接结构之间形成在所述有源区上；以及第四连接结构，其形成在所述第二连接结构上。
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