[发明专利]具有测试单元的半导体器件、电子器件和测试方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板，其包括由器件隔离区限定的有源区；

触点，其包含金属材料并形成在所述半导体基板上；以及

测试单元，其形成在所述触点附近，用以确定由所述触点导致的金属污染，

其中，所述触点包括穿过所述半导体基板的硅穿孔，并且

所述测试单元形成在逻辑单元与所述硅穿孔之间的区域中，并且

其中，所述测试单元包括：

第一连接结构和第二连接结构，其在所述半导体基板上以预定距离相隔开；

第三连接结构，其在所述第一连接结构与所述第二连接结构之间形成在所述有源区上；以及

第四连接结构，其形成在所述第二连接结构上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述区域被包含在排除区中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一连接结构和所述第二连接结构均包括金属触点或金属线。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第三连接结构和所述第四连接结构均由金属触点形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一连接结构和所述第二连接结构均包括：

栅极绝缘膜，其形成在所述半导体基板上；

多晶硅层，其形成在所述栅极绝缘膜上；

金属层，其形成在所述多晶硅层上；以及

覆盖膜，其形成所述金属层上。

6.一种半导体器件，包括：

半导体基板，其包括由器件隔离区限定的有源区；

触点，其包含金属材料并形成在所述半导体基板上；以及

测试单元，其形成在所述触点附近，用以确定由所述触点导致的金属污染，

其中，所述触点包括穿过所述半导体基板的硅穿孔，并且

所述测试单元形成在逻辑单元与所述硅穿孔之间的区域中，并且

所述测试单元包括：

第一沟槽和第二沟槽，其形成在所述半导体基板中；

有源区，其从所述第一沟槽和所述第二沟槽中突出；

绝缘膜，其沿着所述半导体基板与所述第一沟槽之间及所述半导体基板与所述第二沟槽之间的台阶部形成；

第一连接结构和第二连接结构，其分别形成在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述绝缘膜上，并包含导电材料；

第三连接结构，其形成在突出的所述有源区上；以及

第四连接结构，其形成在所述第二连接结构上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述绝缘膜形成在所述第一沟槽和所述第二沟槽各自的侧壁和底面上。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述第三连接结构和所述第四连接结构均包括金属触点。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

间隔物，其形成在所述第三连接结构的侧壁上。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述测试单元还包括耗尽层，所述耗尽层形成在所述绝缘膜与突出的所述有源区之间的区域中。

11.一种半导体器件，包括：

逻辑单元，其形成在半导体基板上，用以执行存储操作；

硅穿孔，其形成为穿过所述半导体基板；以及

测试单元，其形成在所述逻辑单元与所述硅穿孔之间，用以确定所述硅穿孔附近的半导体基板中存不存在短路，

其中，所述测试单元包括：

第一连接结构和第二连接结构，其在所述半导体基板上以预定距离相隔开；

第三连接结构，其在所述第一连接结构与所述第二连接结构之间形成在有源区上；以及

金属触点，其与所述第二连接结构相连。