[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410079081.9 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104037212B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 郭俊植;郑暎都;车昊映;朴奉烈;李在吉;李宽铉 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;全成哲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及可利用整流性电极来防止反向漏电流的氮化物半导体元件（单向异质结晶体管）及其制造方法，单向异质结晶体管具备：通道层，由具有第一能带隙的第一氮化物类半导体形成；势垒层，由具有与第一能带隙不同的第二能带隙的第二氮化物类半导体形成；凹槽区域，形成于势垒层；漏电极，在势垒层的一侧布置于势垒层上；以及凹槽‑漏极肖特基电极，布置于凹槽区域，且与漏电极相接。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，其特征在于包括：通道层，由具有第一能带隙的第一氮化物类半导体形成；势垒层，由具有与第一能带隙不同的第二能带隙的第二氮化物类半导体形成；凹槽，形成于所述势垒层；漏电极，在所述势垒层的一侧布置于所述势垒层上；以及凹槽‑漏极肖特基电极，布置于所述凹槽，且与所述漏电极相接，形成于所述通道层的上部表面与所述凹槽的底面之间的所述势垒层的厚度形成为1nm至5nm。
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