[发明专利]半导体芯片与具有该半导体芯片的层叠型半导体封装有效

专利信息
申请号: 201410061332.0 申请日: 2014-02-24
公开(公告)号: CN104282640B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 金钟薰;孙在现;李丙焘;全国镇;崔雄楏 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司;首尔大学校产学协力团
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L25/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种半导体芯片和具有该半导体芯片的层叠型半导体封装。该半导体芯片包含:半导体芯片体,其具有形成有多个接合焊垫的第一表面和与该第一表面相对的第二表面;多个第一和第二贯穿电极,其通过该半导体芯片体且其一端部与各接合焊垫电连接;绝缘层,其在该半导体芯片体的第二表面上形成,使得该第一和第二贯穿电极的另一端部不会被该绝缘层覆盖;以及第一散热层,其形成在该绝缘层上。
搜索关键词: 半导体芯片 半导体芯片体 绝缘层 半导体封装 第二表面 第一表面 接合焊垫 电极 层叠型 绝缘层覆盖 电连接 散热层 贯穿
【主权项】:
1.一种半导体芯片,包括:半导体芯片体,具有形成有多个接合焊垫的第一表面和与该第一表面相对的第二表面;多个第一和第二贯穿电极,其通过该半导体芯片体且其一端部电连接至该接合焊垫;绝缘层,其形成于该半导体芯片体的第二表面之上,使得该第一和第二贯穿电极的另一端部不被该绝缘层覆盖;第一散热层,其在该绝缘层之上形成;多个第三贯穿电极,其形成于该半导体芯片体中,在该第三贯穿电极的一端部处电连接至该接合焊垫,并具有与该第一贯穿电极不同的电位;及第二散热层,其形成于该绝缘层之上,使得该第二散热层直接接触该第三贯穿电极,其中,该第一散热层形成为使得该第一散热层直接接触该第一贯穿电极,而没有接触该第二贯穿电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司;首尔大学校产学协力团,未经爱思开海力士有限公司;首尔大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410061332.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top