[发明专利]半导体芯片与具有该半导体芯片的层叠型半导体封装有效
申请号: | 201410061332.0 | 申请日: | 2014-02-24 |
公开(公告)号: | CN104282640B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 金钟薰;孙在现;李丙焘;全国镇;崔雄楏 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司;首尔大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L25/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体芯片和具有该半导体芯片的层叠型半导体封装。该半导体芯片包含:半导体芯片体,其具有形成有多个接合焊垫的第一表面和与该第一表面相对的第二表面;多个第一和第二贯穿电极,其通过该半导体芯片体且其一端部与各接合焊垫电连接;绝缘层,其在该半导体芯片体的第二表面上形成,使得该第一和第二贯穿电极的另一端部不会被该绝缘层覆盖;以及第一散热层,其形成在该绝缘层上。 | ||
搜索关键词: | 半导体芯片 半导体芯片体 绝缘层 半导体封装 第二表面 第一表面 接合焊垫 电极 层叠型 绝缘层覆盖 电连接 散热层 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片,包括:半导体芯片体,具有形成有多个接合焊垫的第一表面和与该第一表面相对的第二表面;多个第一和第二贯穿电极,其通过该半导体芯片体且其一端部电连接至该接合焊垫;绝缘层,其形成于该半导体芯片体的第二表面之上,使得该第一和第二贯穿电极的另一端部不被该绝缘层覆盖;第一散热层,其在该绝缘层之上形成;多个第三贯穿电极,其形成于该半导体芯片体中,在该第三贯穿电极的一端部处电连接至该接合焊垫,并具有与该第一贯穿电极不同的电位;及第二散热层,其形成于该绝缘层之上,使得该第二散热层直接接触该第三贯穿电极,其中,该第一散热层形成为使得该第一散热层直接接触该第一贯穿电极,而没有接触该第二贯穿电极。
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