[发明专利]一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201410056560.9 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103806104A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 毛德丰;李维;王维颖;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02;C30B25/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlGaN连续渐变缓冲层或AlGaN/AlN或AlGaN/GaN超晶格缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlGaN薄膜。本发明通过优化缓冲层设计，能够有效降低传统AlN缓冲层带来的高位错影响。减小高Al组分AlGaN与GaN缓冲层的晶格失配影响，改善AlGaN外延薄膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al 组分 algan 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlGaN连续渐变缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlGaN薄膜。
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