[发明专利]半导体装置及其制造方法、以及搭载了半导体装置的系统

摘要

本发明提供能够抑制无用的漏电电流的产生且能够防止外来充电引起的损伤的半导体装置及其制造方法、以及搭载了半导体装置的系统。半导体装置构成为具备：N型半导体层；设置在该N型半导体层的主面上并且包括形成有电路元件的半导体层的电路层；包括交互层叠在该电路层上的层间绝缘膜（20）、（21）和层布线（240）、（250）的多层布线层；导电部，其构成为包括由贯通电路层以及多层布线层而设置的第1通路、第1导电体、第2通路构成的贯通导电体、以及与该贯通导电体连接的电极（260）并与其他部位电隔离；N型取出电极区域，其与该导电部连接，并形成在N型半导体层的主面上，并且其杂质浓度比N型半导体层高。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的第1半导体层，在所述第1导电类型的第1半导体层的一主面上具备第2导电类型的第1区域、和与所述第1区域隔开且与所述第2导电类型相反的第2区域；第2半导体层，其隔着绝缘层设置在所述第1半导体层的所述一主面上并且具有电路元件；多层布线层，其具备最下层的第1布线层部和最上层的第2布线层部，所述最下层的第1布线层部具备形成在所述第2半导体层上的第1层间绝缘膜和形成在所述第1层间绝缘膜上的第1布线层，所述最上层的第2布线层部具备第2层间绝缘膜和第2布线层，所述第2布线层形成在所述第2层间绝缘膜上且经由所述第1布线层部与所述第1区域以及所述电路元件连接；以及导电部，其构成为包括贯通导电部和电极并且与其他部位电隔离，所述贯通导电部与所述第2区域连接且将所述绝缘体层以及所述多层布线层从所述一主面贯通至所述第2布线层部的所述第2层间绝缘膜，所述电极形成在所述第2布线层部的第2布线层并与所述贯通导电部连接。