[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201410040906.6 申请日: 2014-01-28
公开(公告)号: CN103745980B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 戴文君;邵金凤;潘新叶 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84;G02F1/136;G02F1/1368
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司31264 代理人: 苗燕
地址: 215301 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 薄膜晶体管阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、第一绝缘保护层、第一电极、第二绝缘保护层和第二电极。栅极形成在基板上。栅极绝缘层形成在基板上并覆盖栅极。半导体层形成在栅极绝缘层上并位于栅极上方。源极和漏极形成在栅极绝缘层上。第一绝缘保护层形成在栅极绝缘层上并具有第一通孔以露出漏极。第一电极形成在第一绝缘保护层上并填入第一通孔中与漏极接触。第二绝缘保护层覆盖第一绝缘保护层以及第一电极。第二电极形成在第二绝缘保护层上。薄膜晶体管阵列基板有助于提高液晶显示装置穿透率,缩短响应时间。本发明还涉及薄膜晶体管阵列基板制作方法及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:基板,具有显示区域;栅极,形成在该基板上并位于该显示区域;栅极绝缘层,形成在该基板上并覆盖该栅极;半导体层,形成在该栅极绝缘层上并位于该栅极上方;源极和漏极,形成在该栅极绝缘层上,该源极和该漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触,以使部分的该半导体层从该源极和该漏极之间露出;第一绝缘保护层,形成在该栅极绝缘层上,并覆盖该源极和该漏极以及从该源极和该漏极之间露出部分的该半导体层,该第一绝缘保护层的厚度为至在该第一绝缘保护层具有第一通孔,以露出该漏极;第一电极,形成在该第一绝缘保护层上,并填入该第一通孔中与该漏极接触;第二绝缘保护层,覆盖该第一绝缘保护层以及该第一电极,该第二绝缘保护层的厚度为至以及第二电极,形成在该第二绝缘保护层上,并位于该第一电极上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山龙腾光电有限公司,未经昆山龙腾光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410040906.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top