[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及液晶显示装置有效
申请号: | 201410040906.6 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103745980B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 戴文君;邵金凤;潘新叶 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84;G02F1/136;G02F1/1368 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司31264 | 代理人: | 苗燕 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 薄膜晶体管阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、第一绝缘保护层、第一电极、第二绝缘保护层和第二电极。栅极形成在基板上。栅极绝缘层形成在基板上并覆盖栅极。半导体层形成在栅极绝缘层上并位于栅极上方。源极和漏极形成在栅极绝缘层上。第一绝缘保护层形成在栅极绝缘层上并具有第一通孔以露出漏极。第一电极形成在第一绝缘保护层上并填入第一通孔中与漏极接触。第二绝缘保护层覆盖第一绝缘保护层以及第一电极。第二电极形成在第二绝缘保护层上。薄膜晶体管阵列基板有助于提高液晶显示装置穿透率,缩短响应时间。本发明还涉及薄膜晶体管阵列基板制作方法及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:基板,具有显示区域;栅极,形成在该基板上并位于该显示区域;栅极绝缘层,形成在该基板上并覆盖该栅极;半导体层,形成在该栅极绝缘层上并位于该栅极上方;源极和漏极,形成在该栅极绝缘层上,该源极和该漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触,以使部分的该半导体层从该源极和该漏极之间露出;第一绝缘保护层,形成在该栅极绝缘层上,并覆盖该源极和该漏极以及从该源极和该漏极之间露出部分的该半导体层,该第一绝缘保护层的厚度为至在该第一绝缘保护层具有第一通孔,以露出该漏极;第一电极,形成在该第一绝缘保护层上,并填入该第一通孔中与该漏极接触;第二绝缘保护层,覆盖该第一绝缘保护层以及该第一电极,该第二绝缘保护层的厚度为至以及第二电极,形成在该第二绝缘保护层上,并位于该第一电极上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的