[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，且特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。

背景技术

当下对液晶显示装置的基本需求是高分辨率、广视角等，现在广视角技术通常包括正型液晶显示和负型液晶显示。正型液晶显示穿透率较低，响应速度较快，负型液晶显示穿透率较高，响应速度慢。负型液晶显示的液晶显示装置由于具有较高的穿透率而备受关注。

图1A至图1G是现有的一种负型液晶显示的液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的制作流程局部剖面结构示意图。首先，如图1A所示，在基板110形成栅极111。其次，如图1B所示，在基板110上形成栅极绝缘层112并覆盖栅极111。接着，如图1C所示，在栅极绝缘层112上形成半导体层113，且半导体层113的位置位于栅极111的正上方。之后，如图1D所示，在形成半导体层113后，再在栅极绝缘层112上形成第一电极114。再来，如图1E所示，在半导体层113上形成源极115a和漏极115b，源极115a与漏极115b彼此不相接触，其中漏极115b还与第一电极114接触而实现电连接。然后，如图1F所示，形成绝缘保护层116并覆盖源极115a和漏极115b以及第一电极114。再之后，如图1G所示，在绝缘保护层116上形成第二电极117并位于第一电极114的上方。

在现有技术中，绝缘保护层116的厚度较厚（例如约为），使得第一电极114与第二电极117之间的距离较大，进而影响由第一电极114和第二电极117所形成的电场的强度。

此外，第一电极114一般都采用例如ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）等透明导电材料制成，沉积绝缘保护层116例如氮化硅，通常是利用硅烷（SiH₄），氨气（NH3）和氮气（N₂）为原料气体采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）进行快速沉积而成，在快速沉积的过程中，硅烷和氨气离解所产生的氢等离子体会导致第一电极114的氧化铟锡透明导电材料脱氧变成不透明金属铟锡，从而使得第一电极114出现白浊现象，影响穿透率。为避免快速沉积绝缘保护层116时第一电极114出现白浊现象，在沉积形成绝缘保护层116时，需要分两层沉积：靠近第一电极114的一层以低速进行沉积，从而降低对第一电极114造成的影响，所形成的绝缘保护层质地较疏松；远离第一电极114的一层以高速进行沉积，从而可以加快制程速度，所形成的绝缘保护层质地较密。然而，位于非显示区的绝缘保护层116上通常还需要制作一些通孔，以导通上下电极，而处于非显示区的绝缘保护层116覆盖在金属钼上面，由于钼的质地坚硬，而绝缘保护层116的质地疏松，因此在蚀刻的过程中容易出现底切（undercut）现象。

发明内容

本发明的目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其有助于提高液晶显示装置穿透率，缩短响应时间。

本发明的另一目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其所制作的薄膜晶体管阵列基板有助于提高液晶显示装置的穿透率，缩短响应时间，同时在蚀刻过程中不容易出现底切（undercut）现象。

本发明的又一目的在于，提供了一种液晶显示装置，具有较高的穿透率和较短的响应时间。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、第一绝缘保护层、第一电极、第二绝缘保护层和第二电极。基板具有显示区域。栅极形成在基板上并位于显示区域。栅极绝缘层形成在基板上并覆盖栅极。半导体层形成在栅极绝缘层上并位于栅极上方。源极和漏极形成在栅极绝缘层上，源极和漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，以使部分的半导体层从源极和漏极之间露出。第一绝缘保护层形成在栅极绝缘层上，并覆盖源极和漏极以及从源极和漏极之间露出部分的半导体层，在第一绝缘保护层具有第一通孔，以露出漏极。第一电极形成在第一绝缘保护层上，并填入第一通孔中与漏极接触。第二绝缘保护层覆盖第一绝缘保护层以及第一电极。第二电极形成在第二绝缘保护层上，并位于第一电极上方。