[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及液晶显示装置有效
申请号: | 201410040906.6 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103745980B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 戴文君;邵金凤;潘新叶 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84;G02F1/136;G02F1/1368 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司31264 | 代理人: | 苗燕 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:
基板,具有显示区域;
栅极,形成在该基板上并位于该显示区域;
栅极绝缘层,形成在该基板上并覆盖该栅极;
半导体层,形成在该栅极绝缘层上并位于该栅极上方;
源极和漏极,形成在该栅极绝缘层上,该源极和该漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触,以使部分的该半导体层从该源极和该漏极之间露出;
第一绝缘保护层,形成在该栅极绝缘层上,并覆盖该源极和该漏极以及从该源极和该漏极之间露出部分的该半导体层,在该第一绝缘保护层具有第一通孔,以露出该漏极;
第一电极,形成在该第一绝缘保护层上,并填入该第一通孔中与该漏极接触;
第二绝缘保护层,覆盖该第一绝缘保护层以及该第一电极;以及
第二电极,形成在该第二绝缘保护层上,并位于该第一电极上方。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该基板还包括围绕该显示区域的非显示区域,该薄膜晶体管阵列基板还包括依次设置于该基板并位于该非显示区域的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层以及第一电连接层,该第二绝缘层和该第一绝缘层中形成有第二通孔,以露出部分的该第一导电层,该第二绝缘护层中形成有第三通孔,以露出部分的该第二导电层,该第一电连接层形成在该第二绝缘层上,并填入该第二通孔和该第三通孔中分别与该第一导电层和该第二导电层接触。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该薄膜晶体管阵列基板还包括位于该非显示区域的覆盖该第一电连接层的第三绝缘层以及第二电连接层,该第三绝缘层中形成有第四通孔,以露出部分的该第一电连接层,该第二电连接层形成于该第三绝缘层,并填入该第四通孔中与该第一电连接层接触。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该基板还包括围绕该显示区域的非显示区域,该薄膜晶体管阵列基板还包括依次设置于该基板并位于该非显示区域的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第三电连接层,该第三绝缘层、该第二绝缘层和该第一绝缘层中形成有第五通孔,以露出部分的该第一导电层,该第三绝缘层和该第二绝缘层中形成有第六通孔,以露出部分的该第二导电层,该第三电连接层形成在该第三绝缘层上,并填入该第五通孔和该第六通孔中分别与该第一导电层和该第二导电层接触。
5.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~4任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
6.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板的显示区域形成栅极;
形成栅极绝缘层,并覆盖该栅极;
在该栅极绝缘层形成半导体层,该半导体层位于该栅极上方;
在该栅极绝缘层形成源极和漏极,该源极和该漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触,以使部分的该半导体层从该源极和该漏极之间露出;
形成第一绝缘保护层,覆盖该源极和该漏极以及从该源极和该漏极之间露出部分的该半导体层,并在该第一绝缘保护层中开设第一通孔,以露出该漏极;
在该第一绝缘保护层上形成第一电极,并填入该第一通孔中与该漏极接触;
在该第一绝缘保护层上形成第二保护层,覆盖该第一电极;以及
在该第二绝缘保护层上形成第二电极,该第二电极位于该第一电极上方。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,该制作方法还包括在该基板围绕该显示区域的非显示区域依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层以及第一电连接层,在形成该第二绝缘层之后,更包括在该第二绝缘保护层和该第一绝缘层中开设第二通孔以露出部分的该第一导电层,以及在该第二绝缘层中开设第三通孔以露出部分的该第二导电层,形成该第一电连接层时,该第一电连接层填入该第二通孔和该第三通孔中分别与该第一导电层和该第二导电层接触。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,该制作方法还包括在形成该第一电连接层之后依次形成覆盖该第一电连接层的第三绝缘层以及第二电连接层,在形成该第三绝缘层之后,更包括在该第三绝缘层中开设第四通孔以露出部分的该第一电连接层,形成该第二电连接层时,该第二电连接层填入该第四通孔中与该第一电连接层接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的