[发明专利]快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种快闪存储器，包括衬底、第一栅极结构、源极区与漏极区、自行对准接触窗、第一介电层以及第二介电层。第一栅极结构位于衬底的晶胞区上。源极区与漏极区分别位于晶胞区的第一栅极结构间的衬底中。自行对准接触窗位于第一栅极结构之间，且位于源极区与漏极区上。第一介电层围绕自行对准接触窗，且在对应第一栅极结构处具有凹陷。第二介电层位于第一介电层中，且填满凹陷，第二介电层的介电常数低于第一介电层的介电常数。

主权项

1.一种快闪存储器，包括：衬底，所述衬底包括晶胞区；多个第一栅极结构，位于所述衬底的所述晶胞区上；多个源极区与多个漏极区，分别位于所述晶胞区的所述第一栅极结构之间的所述衬底上；多个自行对准接触窗，位于所述第一栅极结构之间，且位于所述源极区与所述漏极区上；第一介电层，围绕所述自行对准接触窗，且在对应所述第一栅极结构处具有多个凹陷；以及第二介电层，位于所述第一介电层中，且填满所述凹陷，所述第二介电层的介电常数低于所述第一介电层的介电常数，所述第二介电层暴露出位于所述凹陷以外的所述第一介电层。