[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410022672.2 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104425580A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 西川幸江;柴田浩延;高桥宣博 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供同时实现芯片特性和组装性的功率用半导体装置及其制造方法。实施方式所涉及的功率用半导体装置具备：半导体部分；表面侧金属层，设置在上述半导体部分的上表面上，包含第一金属，且至少一部分结晶化；以及背面侧金属层，设置在上述半导体部分的下表面上，包含上述第一金属，且至少一部分结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率用半导体装置，具备：半导体部分；表面侧金属层，设置在所述半导体部分的上表面上，包含第一金属，且至少一部分结晶化；以及背面侧金属层，设置在所述半导体部分的下表面上，包含所述第一金属，且至少一部分结晶化。
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