[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种功率用半导体装置，具备：

半导体部分；

表面侧金属层，设置在所述半导体部分的上表面上，包含第一金属，且至少一部分结晶化；以及

背面侧金属层，设置在所述半导体部分的下表面上，包含所述第一金属，且至少一部分结晶化。

2.根据权利要求1所述的功率用半导体装置，其中，

所述第一金属是镍。

3.根据权利要求2所述的功率用半导体装置，其中，

所述表面侧金属层含有磷，其中，磷的含量处于4～10质量%的范围。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的功率用半导体装置，其中，

所述背面侧金属层的厚度在所述表面侧金属层的厚度的15%以上。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的功率用半导体装置，其中，

所述半导体部分包含硅，

所述半导体部分的厚度为60～120μm。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的功率用半导体装置，其中，

所述功率用半导体装置的耐压为600～800V。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的功率用半导体装置，其中，

所述功率用半导体装置是绝缘栅双极晶体管。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的功率用半导体装置，其中，

所述功率用半导体装置是快速恢复二极管。

9.一种功率用半导体装置的制造方法，具备：

在半导体部分的上表面上形成包含第一金属的表面侧金属层的工序；

对所述半导体部分的下表面内导入杂质的工序；

通过实施热处理，使所述杂质活化、并使所述表面侧金属层的至少一部分结晶化的工序；以及

在所述半导体部分的下表面上形成包含所述第一金属的背面侧金属层的工序，所述背面侧金属层以其至少一部分结晶化的方式形成。

10.根据权利要求9所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体部分包含硅，

所述第一金属为镍。

11.根据权利要求9或10所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，

形成所述表面侧金属层的工序利用非电解电镀法进行，

形成所述背面侧金属层的工序利用溅射法进行。