[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法和制造装置有效
| 申请号： | 201410018468.3 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104425503B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 村越笃;泽敬一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 徐健,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储器件、非易失性半导体存储器件的制造方法以及制造装置。非易失性半导体存储器件半导体层；设置在所述半导体层上的第1绝缘膜；设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层；设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜；以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极，所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳，从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值，所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器件，具备：半导体层；设置在所述半导体层上的第1绝缘膜；设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层；设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜；以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极，所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳，从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值，所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
