[发明专利]一种半导体制造方法

摘要

本发明提供一种半导体制造方法，包括A、提供衬底，在所述衬底正面的终端区形成场限环；B、在所述衬底正面进行有源区光刻刻蚀，形成截止环的刻蚀区域；其特征在于，还包括C、向所述截止环的刻蚀区域进行N+表面注入，形成截止环；D、在所述衬底正面有源区形成沟槽，淀积多晶硅之后，进行P型体区注入；E、进行N+阱光刻，注入，退火，形成N+发射极；F、进行正面金属化及背面金属化处理。采用本发明所述技术方案，在不增加版图的基础上，形成真正意义的截止环，能够有效限制最外侧场限环的展宽，截止环真正起到作用。

主权项

一种半导体制造方法，包括：A、提供衬底，在所述衬底正面的终端区形成场限环；B、在所述衬底正面进行有源区光刻刻蚀，形成截止环的刻蚀区域；其特征在于，还包括：C、向所述截止环的刻蚀区域进行N+表面注入，形成截止环；D、在所述衬底正面有源区形成沟槽，淀积多晶硅之后，进行P型体区注入；E、进行N+阱光刻，注入，退火，形成N+发射极；F、进行正面金属化及背面金属化处理，在所述衬底正面有源区形成沟槽，淀积多晶硅之后，进行P型体区注入，具体为：用有源区光刻板光刻，在所述有源区区域的上方形成沟槽，生长栅氧化层，在所述栅氧化层上淀积多晶硅层，进行多晶硅层光刻刻蚀，并通过离子注入向被刻蚀开的区域下方注入P型离子，形成P型体区，在淀积多晶硅层时，会同时将截止环上方覆盖起来，在进行多晶硅层光刻刻蚀时，只会将沟槽上方的区域刻蚀开，而不会将所述截止环上方的区域刻蚀开。