[发明专利]一种半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，包括：

A、提供衬底，在所述衬底正面的终端区形成场限环；

B、在所述衬底正面进行有源区光刻刻蚀，形成截止环的刻蚀区域；其特征在于，还包括：

C、向所述截止环的刻蚀区域进行N+表面注入，形成截止环；

D、在所述衬底正面有源区形成沟槽，淀积多晶硅之后，进行P型体区注入；

E、进行N+阱光刻，注入，退火，形成N+发射极；

F、进行正面金属化及背面金属化处理，

在所述衬底正面有源区形成沟槽，淀积多晶硅之后，进行P型体区注入，具体为：

用有源区光刻板光刻，在所述有源区区域的上方形成沟槽，生长栅氧化层，在所述栅氧化层上淀积多晶硅层，进行多晶硅层光刻刻蚀，并通过离子注入向被刻蚀开的区域下方注入P型离子，形成P型体区，在淀积多晶硅层时，会同时将截止环上方覆盖起来，在进行多晶硅层光刻刻蚀时，只会将沟槽上方的区域刻蚀开，而不会将所述截止环上方的区域刻蚀开。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，正面金属化包括在所述衬底正面淀积介质层，在所述介质层上形成接触孔，在所述介质层上方淀积金属层，刻蚀所述金属层，形成正面电极区域，在所述金属层上方淀积钝化层，刻蚀钝化层。

3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，向所述截止环的刻蚀区域进行N+表面注入，形成截止环中，所述N+表面注入的N型离子注入剂量10¹¹～10¹⁵cm^-2量级，注入能量为50keV～150keV。

4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述沟槽的深度为4～8μm，所述栅氧化层的厚度为600埃～1500埃，所述P型离子的注入剂量为10¹¹～10¹⁵cm^-2量级。

5.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：进行正面金属化及背面金属化处理，具体为：

在所述衬底正面淀积介质层，光刻刻蚀所述介质层，形成接触孔，在所述介质层上方淀积金属层，刻蚀所述金属层，形成正面电极区域，在所述金属层上方淀积钝化层，刻蚀钝化层，完成正面金属化处理；进行背面减薄，P型杂质注入，退火，形成背面金属电极，完成背面金属化处理。

6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的半导体制造方法，其特征在于，所述半导体为NMOS或者IGBT。