[发明专利]场效应晶体管及半导体装置

摘要

本发明涉及场效应晶体管及半导体装置，场效应晶体管具有配置在第一直线上的多个单元。各单元具有梳状电极，各单元上连接有栅极端子电极和漏极端子电极。梳状电极具有至少两个梳状栅电极、梳状漏电极及梳状源电极。栅极端子电极将相邻接的两个单元的梳状栅电极共同地连接。漏极端子电极将相邻接的两个单元的梳状漏电极共同地连接。相邻接的两个单元中，一方的单元的梳状栅电极与另一方的单元的梳状栅电极大致直角地交叉。相互不同地，在相邻接的两个单元的梳状电极交叉的区域的第一直线的一方设置有栅极端子电极，而在另一方设置有漏极端子电极。

主权项

一种场效应晶体管，其特征在于，具备：多个单元，配置在第一直线上，各单元具有在由半导体形成的动作层上设置的对动作电流进行控制的梳状电极，上述梳状电极具有至少两个梳状栅电极、和以夹着各个梳状栅电极的方式设置的梳状漏电极及梳状源电极，并且，在一个单元中，上述梳状栅电极、上述梳状漏电极及上述梳状源电极平行；栅极端子电极，相邻接的两个单元各自的梳状栅电极共同地连接到该栅极端子电极；以及漏极端子电极，相邻接的两个单元各自的梳状漏电极共同地连接到该漏极端子电极，相邻接的两个单元的梳状电极相对于与上述第一直线正交的第二直线相互线对称，相邻接的两个单元中，一方的单元的梳状栅电极的延长线与另一方的单元的梳状栅电极的延长线以80～100°范围的角度交叉，而且，在相邻接的两个单元的上述梳状栅电极的延长线交叉的区域，上述栅极端子电极和上述漏极端子电极相互不同地设置。