[发明专利]场效应晶体管及半导体装置

说明书

相关申请的引用：本申请基于2013年3月6日申请的在先日本专利申请第2013-044614号，享受其优先权的利益，通过引用将其内容整体包含于本申请。

技术领域

本发明的实施方式涉及场效应晶体管及半导体装置。

背景技术

若增加由GaAs、SiC、GaN等形成的场效应晶体管的动作区域，则能够容易地增大逆变器电路、开关电路、高频放大电路等装置的输出。

通过将多个单元并列地设置、排列，能够不使功率增益降低地增加动作区域。在该情况下，通过将动作区域即多个单元的各单元的间隔保持为适当，能够使热阻减少。

在通过多个单元来构成使用了HEMT（高电子迁移率晶体管）等的高频?高输出放大电路的情况下，优选将多个单元配置为不产生环路振荡。

发明内容

本发明提供容易抑制环路振荡、容易减少热阻的场效应晶体管及半导体装置。

实施方式的场效应晶体管具有在第一直线上配置的多个单元。各单元具有设置在由半导体形成的动作层上的对动作电流进行控制的梳状电极。梳状电极具有至少两个梳状栅电极、和以夹着各个梳状栅电极的方式设置的梳状漏电极及梳状源电极，并且，在一个单元中，上述梳状栅电极、上述梳状漏电极及上述梳状源电极平行。场效应晶体管具有栅极端子电极及漏极端子电极。相邻接的两个单元各自的梳状栅电极均与相同的栅极端子电极连接。相邻接的两个单元各自的梳状漏电极均与相同的漏极端子电极连接。相邻接的两个单元的梳状电极相对于与第一直线正交的第二直线相互线对称。相邻接的两个单元中，一方的单元的梳状栅电极的延长线与另一方的单元的梳状栅电极的延长线以80～100°的范围的角度交叉。此外，在相邻接的两个单元的梳状栅电极的延长线交叉的区域，栅极端子电极和漏极端子电极相互不同地设置。

根据本发明，提供容易抑制环路振荡、容易减少热阻的场效应晶体管及半导体装置。

附图说明

图1是第一实施方式的场效应晶体管的模式平面图。

图2A是相邻接的两个单元的模式平面图。

图2B是表示相邻接的两个梳状电极和端子电极的模式平面图。

图2C是沿着图2B的A-A线的模式截面图。

图3是第一比较例的场效应晶体管的模式平面图。

图4是第二比较例的场效应晶体管的模式平面图。

图5是第四实施方式的半导体装置的模式平面图。

图6A是第三比较例的场效应晶体管的相邻接的两个单元的模式平面图。

图6B是表示第三比较例的场效应晶体管的梳状电极和端子电极的模式平面图。

图7是使用了第三比较例的场效应晶体管的第四比较例的半导体装置的模式平面图。

图8A是第二实施方式的场效应晶体管的模式平面图。

图8B是第二实施方式的场效应晶体管的相邻接的两个单元的模式平面图。

图8C是表示第二实施方式的场效应晶体管的梳状电极和端子电极的模式平面图。

图9是第三实施方式的场效应晶体管的模式平面图。

图10是第五比较例的场效应晶体管的模式平面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

【第一实施方式】

图1是第一实施方式的场效应晶体管的模式平面图。场效应晶体管5具有由SiC、GaN等六方晶系半导体形成的动作层17、多个单元52、多个栅极端子电极33、多个源极端子电极43a、43b、43c及多个漏极端子电极53。在图1中，参照符号6表示半导体芯片，参照符号7表示芯片端面。

多个单元52配置在第一直线90上、即沿着第一直线90配置。各单元52具有梳状（multi-finger）电极，多个单元52的梳状电极沿着第一直线90以折线状配置。此外，栅极端子电极33和漏极端子电极53以第一直线90为分界而分别配置在第一直线90的两侧，并沿着第一直线90配置。即，栅极端子电极33和漏极端子电极53相互不同地配置在第一直线90的两侧。

图2A是两个相邻接的单元的模式平面图，图2B是梳状电极和端子电极的模式平面图，图2C是沿着图2B的A-A线的模式截面图。单元52a、52b具有设置在由半导体形成的动作层17上的梳状电极51a、51b。在各单元52a、52b中，由梳状电极51a、51b来控制电流。