[发明专利]场效应晶体管及半导体装置

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，具备：

多个单元，配置在第一直线上，各单元具有在由半导体形成的动作层上设置的对动作电流进行控制的梳状电极，上述梳状电极具有至少两个梳状栅电极、和以夹着各个梳状栅电极的方式设置的梳状漏电极及梳状源电极，并且，在一个单元中，上述梳状栅电极、上述梳状漏电极及上述梳状源电极平行；

栅极端子电极，相邻接的两个单元各自的梳状栅电极共同地连接到该栅极端子电极；以及

漏极端子电极，相邻接的两个单元各自的梳状漏电极共同地连接到该漏极端子电极，

相邻接的两个单元的梳状电极相对于与上述第一直线正交的第二直线相互线对称，

相邻接的两个单元中，一方的单元的梳状栅电极的延长线与另一方的单元的梳状栅电极的延长线以80～100°范围的角度交叉，而且，

在相邻接的两个单元的上述梳状栅电极的延长线交叉的区域，上述栅极端子电极和上述漏极端子电极相互不同地设置。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

还具备：

源极端子电极，与一个梳状电极的至少两个梳状源电极共同地连接。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管，其中，

上述源极端子电极将相邻接的两个梳状电极各自的梳状源电极共同地捆束，并连接到在设置于上述动作层中的通孔的内壁上形成的导电层。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

上述单元具有上述栅极总线电极，上述栅极总线电极将至少两个上述梳状栅电极捆束并连接到上述栅极端子电极。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

上述动作层由六方晶系半导体形成，

上述第一直线与上述六方晶系半导体的m面平行。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

相邻接的两个上述单元的梳状电极相对于与上述第一直线正交的第二直线对称。

7.如权利要求4所述的场效应晶体管，其中，

上述栅极端子电极和上述栅极总线电极通过栅极引出部连接。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

上述多个单元的多个上述梳状电极配置为折线状。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

上述漏极端子电极相对于上述第一直线配置在一方，上述栅极端子电极相对于上述第一直线配置在另一方。

10.一种半导体装置，其中，具备：

权利要求1所述的场效应晶体管；

安装部件，具有输入导电部、输出导电部及接地导体部；

输入电路基板，设置在上述输入导电部与上述场效应晶体管之间，与上述接地导体部粘接；

输出电路基板，设置在上述输出导电部与上述场效应晶体管之间，与上述接地导体部粘接；

将上述漏极端子电极和上述输出电路基板电连接的布线；以及

将上述栅极端子电极和上述输入电路基板电连接的布线；

与一个单元连接的上述栅极端子电极和上述漏极端子电极在上述场效应晶体管内不构成环形电路。