[发明专利]一种开关及其制造方法有效
| 申请号： | 201410013005.8 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104779248B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 赵骞;张黎阳;龙华;程珍娟;唐东杰;郑瑞 | 申请（专利权）人： | 国民技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种开关及其制造方法。该开关包括：基底；半导体层，形成在基底中，半导体层包括第一有源区域、第二有源区域和沟道区域，其中，沟道区域位于第一有源区域和第二有源区域之间；栅极，设置在沟道区域之上；第一金属层，设置在第一有源区域上并与第一有源区域电连接；第二金属层，设置在第二有源区域上并与第二有源区域电连接；其中，第一金属层和第二金属层分别与栅极至少部分重叠以形成寄生前馈电容。通过上述方式，本发明的开关节省了芯片面积并且降低了芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 源区域 沟道区域 第二金属层 第一金属层 半导体层 电连接 基底 前馈电容 芯片成本 寄生 制造 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种开关，其特征在于，所述开关包括：基底；半导体层，形成在所述基底中，所述半导体层包括第一有源区域、第二有源区域和沟道区域，其中，所述沟道区域位于所述第一有源区域和所述第二有源区域之间；栅极，设置在所述沟道区域之上；第一金属层，设置在所述第一有源区域上并与所述第一有源区域电连接；第二金属层，设置在所述第二有源区域上并与所述第二有源区域电连接；其中，所述第一金属层和所述第二金属层分别与所述栅极至少部分重叠以形成寄生前馈电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国民技术股份有限公司，未经国民技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410013005.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
