[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410010682.4 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779284B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件及其制造方法，所述制造方法包括：a)提供半导体衬底，在半导体衬底上形成鳍片，且鳍片的顶部形成有硬掩膜层；b)在鳍片两侧的半导体衬底上形成绝缘隔离层，露出硬掩膜层和鳍片的大部分；c)在露出的鳍片的两侧形成紧靠鳍片的侧墙；d)去除硬掩膜层；e)对鳍片实施退火，使鳍片的顶部与侧壁之间的夹角呈拐角圆化；f)去除侧墙。根据本发明，形成的鳍片的顶部与侧壁之间的夹角呈拐角圆化，即鳍片的顶部呈圆弧状，可以降低FinFET器件的关态电流，提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片，且所述鳍片的顶部形成有硬掩膜层；b)在所述鳍片两侧的半导体衬底上形成绝缘隔离层，露出所述硬掩膜层和所述鳍片的大部分；c)在所述露出的鳍片的两侧形成紧靠所述鳍片的侧墙；d)去除所述硬掩膜层；e)对所述鳍片实施退火，使所述鳍片的顶部与侧壁之间的夹角呈拐角圆化，以降低所述FinFET器件的关态电流，提升器件的性能；f)去除所述侧墙。
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