[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380068225.4 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104871320A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 福井裕;香川泰宏;田中梨菜;阿部雄次;今泉昌之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够碳化硅基板的截止角对半导体装置的特性造成的影响并且实现动作稳定性的提高和低电阻化的碳化硅半导体装置。在沟道栅极型碳化硅MOSFET中，在阱区中形成高浓度阱区，使从碳化硅半导体的所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离大于从隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置的所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：在具有截止角的碳化硅半导体基板的第1主面上形成了的由碳化硅构成的第1导电类型的漂移区域；在所述漂移区域的表面上形成了的由碳化硅构成的第2导电类型的阱区；在所述阱区的表层部选择性地形成了的由碳化硅构成的第1导电类型的源极区域；从所述源极区域的表面贯通所述阱区而到达所述漂移区域的沟道；在所述沟道的内部隔着栅极绝缘膜而形成了的栅极电极；与所述阱区和所述源极区域连接了的源极电极；在作为所述碳化硅半导体基板的与第1主面相反的一侧的面的第2主面，与碳化硅半导体基板相接地形成了的漏极电极；以及在所述阱区内形成了的、杂质浓度比所述阱区大的第2导电类型的高浓度阱区，从所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离小于从所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离，其中，所述沟道的第2侧壁面在所述沟道内隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置。
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