[发明专利]保护膜形成用膜在审
| 申请号： | 201380063150.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104838491A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 高野健;篠田智则;吾妻佑一郎 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;B32B27/30;C08J5/18;C08L63/00;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z8741测定的光泽值为20以上。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 | ||
【主权项】：
一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z 8741测定的光泽值为20以上。
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