[发明专利]保护膜形成用膜在审
| 申请号： | 201380063150.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104838491A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 高野健;篠田智则;吾妻佑一郎 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;B32B27/30;C08J5/18;C08L63/00;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 | ||
1.一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，
所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，
构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，
所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z 8741测定的光泽值为20以上。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为6℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体还含有(甲基)丙烯酸烷基酯。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的12质量％以下的比例含有烷基碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯。
5.根据权利要求4所述的保护膜形成用膜，其中，所述烷基碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯为(甲基)丙烯酸丁酯。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，(C)填充材料的含量为保护膜形成用膜的50质量％以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的保护膜形成用膜，其还含有(D)着色剂。
8.一种带有保护膜的芯片，其具备半导体芯片、和设置在所述半导体芯片上的保护膜，其中，
所述保护膜是使保护膜形成用膜固化而形成的，并且，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，
构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，
所述保护膜的与所述半导体芯片侧的面相反侧的面按照JIS Z 8741测定的光泽值为20以上。
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