[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380062964.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104838500A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 利田祐麻;赤木望;林敬太 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备比超结构造高杂质浓度的深层(18)。所述深层从距半导体层(5)的表面为规定深度的位置形成，与高杂质层(10)相接并与所述超结构造相接。从衬底法线方向来看，所述深层和表面电极(12)中的与所述高杂质层相接的部分中成为最外周侧的第1端部(P1)与所述高杂质层中的外周侧的端部之间重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的半导体衬底(3)，具有表面及背面；超结构造(4)，在所述半导体衬底的表面侧，具有第1导电型柱(4b)及第2导电型柱(4a)平行于所述半导体衬底的表面而重复的重复构造；半导体层(5)，将所述半导体衬底的外周侧作为外周区域(2)，将所述外周区域的内侧作为形成纵型半导体元件的单元区域(1)，所述半导体层(5)在所述单元区域以及所述外周区域形成在所述超结构造之上；第2导电型的高杂质层(10)，在所述单元区域形成于所述超结构造之上的所述半导体层，与所述半导体层相比杂质浓度高；表面电极(12)，从所述单元区域进入所述外周区域而形成，且与所述高杂质层相接而形成；背面电极(13)，与所述半导体衬底的背面侧电连接；以及第2导电型的深层(18)，与所述超结构造相比杂质浓度高，从距所述半导体层的表面为规定深度的位置形成，与所述高杂质层相接并与所述超结构造相接，从衬底法线方向来看，所述第2导电型的深层(18)与第1端部(P1)和所述高杂质层的外周侧的端部之间重叠而形成，所述第1端部(P1)是所述表面电极中的与所述高杂质层相接的部分中成为最外周侧的端部。
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