[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1导电型的半导体衬底(3)，具有表面及背面；

超结构造(4)，在所述半导体衬底的表面侧，具有第1导电型柱(4b)及第2导电型柱(4a)平行于所述半导体衬底的表面而重复的重复构造；

半导体层(5)，将所述半导体衬底的外周侧作为外周区域(2)，将所述外周区域的内侧作为形成纵型半导体元件的单元区域(1)，所述半导体层(5)在所述单元区域以及所述外周区域形成在所述超结构造之上；

第2导电型的高杂质层(10)，在所述单元区域形成于所述超结构造之上的所述半导体层，与所述半导体层相比杂质浓度高；

表面电极(12)，从所述单元区域进入所述外周区域而形成，且与所述高杂质层相接而形成；

背面电极(13)，与所述半导体衬底的背面侧电连接；以及

第2导电型的深层(18)，与所述超结构造相比杂质浓度高，从距所述半导体层的表面为规定深度的位置形成，与所述高杂质层相接并与所述超结构造相接，从衬底法线方向来看，所述第2导电型的深层(18)与第1端部(P1)和所述高杂质层的外周侧的端部之间重叠而形成，所述第1端部(P1)是所述表面电极中的与所述高杂质层相接的部分中成为最外周侧的端部。

2.如权利要求1记载的半导体装置，

所述半导体层是在所述外周区域构成表面电场缓和层的第2导电型层(5)。

3.如权利要求1或2记载的半导体装置，

所述深层将所述表面电极的外缘部包围1周而形成。

4.如权利要求1至3中任一项记载的半导体装置，

所述深层与所述高杂质层相比杂质浓度低。

5.如权利要求1至3中任一项记载的半导体装置，

所述深层的第2导电型杂质浓度为1×10¹⁷cm^-3以上。

6.如权利要求1至4中任一项记载的半导体装置，

所述深层的距所述半导体层的表面的中心深度为2μm以上。

7.如权利要求1至6中任一项记载的半导体装置，

所述纵型半导体元件是以所述表面电极为源极电极、以所述背面电极为漏极电极的MOSFET；

在所述单元区域，具备以平行于所述半导体衬底的表面的一方向为长度方向而延伸设置的栅极电极(9)，并且，与所述表面电极相接的第1导电型的源极区域(6)以与所述栅极电极相同的方向为长度方向而形成；

在所述外周区域，在比所述第1端部靠外周侧，在所述高杂质层以及所述超结构造之上具备与所述栅极电极连接的栅极布线层(15)。

8.如权利要求6记载的半导体装置，

相比于所述表面电极中最外周侧的端部和连接于所述栅极布线层的栅极焊盘(17)中最外周侧的端部之中任一位于最外周侧的端部，所述深层的外周侧的端部被配置在内侧。

9.如权利要求8记载的半导体装置，

所述表面电极和所述栅极焊盘离开规定间隔而配置；

从所述衬底法线方向来看，所述深层沿所述表面电极和所述栅极焊盘的边界形成。

10.如权利要求8或9记载的半导体装置，

从所述衬底法线方向来看，所述深层包围所述栅极焊盘的外缘部而形成。

11.如权利要求1至6中任一项记载的半导体装置，

所述纵型半导体元件是以所述表面电极为阳极电极、以所述背面电极为阴极电极的二极管；

在所述单元区域，所述高杂质层作为阳极接触件而形成。

12.如权利要求1至11中任一项记载的半导体装置，

所述深层的外周侧的端部比所述第1端部靠内周侧4μ～13μm。

13.如权利要求1至12中任一项记载的半导体装置，

所述高杂质层在所述半导体衬底的平面方向上被截断，在该被截断的部位也形成有所述深层。