[发明专利]Au系钎料模片接合半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380059808.0 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104798185A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 谷本智;佐藤伸二;谷泽秀和;松井康平 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社;三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小亚铃截面构造体(4)。 | ||
| 搜索关键词： | au 系钎料模片 接合 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Au系钎料模片接合半导体装置，具有在半导体元件芯片和以Cu为主要原料的Cu基板之间夹持Au系钎料层的模片接合构造，其特征在于，具备：致密金属膜，其配设于所述Cu基板和所述Au系钎料层之间，并具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽；微小亚铃截面构造体，其分别埋设于所述Cu基板、所述Au系钎料层及所述致密金属膜的微细槽，以Cu和Au为主要元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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