[发明专利]具有富锗有源层与掺杂的过渡层的半导体器件在审
| 申请号： | 201380059464.3 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104798204A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;J·S·卡治安;M·C·弗伦奇;A·A·布德雷维赫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了由富Ge器件层制成的半导体器件堆叠体和器件。富Ge器件层设置在衬底上方，并且p型掺杂的Ge蚀刻抑制层(例如，p型SiGe)设置于其间，以在比器件层更富含Si的牺牲半导体层的去除期间抑制富Ge器件层的蚀刻。Ge在诸如氢氧化物水溶液化学物质的湿法蚀刻剂中的溶解速率可能随着掩埋p型掺杂半导体层被引入到半导体膜堆叠体中而显著减小，从而改进了蚀刻剂对富Ge器件层的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有源 掺杂 过渡 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件堆叠体，包括：设置在硅(Si)衬底上方的富锗(Ge)器件层；SiGe过渡层，其设置在所述衬底上方、并且设置在所述器件层下方；p型δ掺杂的SiGe层，其设置在所述衬底上方、并且设置在所述过渡层下方；n型SiGe层，其设置在所述衬底上方、并且设置在所述p型δ掺杂的SiGe层下方；以及一个或多个SiGe缓冲层，其设置在所述衬底上方、并且设置在所述n型SiGe层下方。
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