[发明专利]具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ‑Ⅴ族场效应晶体管有效
| 申请号： | 201380043256.4 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104603950B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | G·杜威;R·S·周;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田;S·B·克伦德宁;R·皮拉里塞泰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了具有氮掺杂的栅极电介质界面和共形的栅极电极的Ⅲ‑Ⅴ场效应晶体管(FET)。利用氮对高k栅极电介质与非平面晶体管沟道区的Ⅲ‑Ⅴ族半导体表面的界面进行非定向掺杂。在纳米线实施例中，通过将所述栅极电介质暴露于氮的液态源、汽态源、气态源、等离子体态源或固态源，在共形栅极电极沉积之前或在共形栅极电极沉积的同时执行对高k栅极电介质界面的非定向氮掺杂。在实施例中，栅极电极金属共形沉积在所述栅极电介质之上，并且执行退火以沿着所述非平面Ⅲ‑Ⅴ半导体界面在所述栅极电介质内均匀地累积氮。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 电极 电介质 界面 掺杂 平面 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种非平面Ⅲ‑Ⅴ场效应晶体管(FET)，包括：源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区具有设置于其间的Ⅲ‑Ⅴ半导体沟道区；设置在所述Ⅲ‑Ⅴ半导体沟道区下方的底部器件层；设置在所述Ⅲ‑Ⅴ半导体沟道区之上的栅极电介质层，其中，所述栅极电介质层包括金属氧化物，并且还包括包含在所述栅极电介质层中的氮掺杂剂，所述氮掺杂剂接近所述栅极电介质与所述Ⅲ‑Ⅴ半导体沟道区之间的界面；以及设置在所述栅极电介质层之上的栅极电极，其中，所述Ⅲ‑Ⅴ半导体沟道区包括穿过所述栅极电介质层的线，并且所述栅极电介质层完全包围所述Ⅲ‑Ⅴ半导体沟道区，并且其中，所述栅极电介质层和所述栅极电极穿过所述底部器件层中的孔洞。
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