[发明专利]半导体功率模块和装置有效

专利信息
申请号: 201380021266.8 申请日: 2013-02-22
公开(公告)号: CN104321869B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 吴毅锋 申请(专利权)人: 创世舫电子有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L25/065;H01L23/48
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李宝泉;周亚荣
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了一种电子组件,所述电子组件包括:第一晶体管,第一晶体管被包围在第一封装中,所述第一晶体管被安装在所述第一封装的第一导电部分上方;以及第二晶体管,第二晶体管被包围在第二封装中,所述第二晶体管被安装在所述第二封装的第二导电部分上方。所述组件还包括基板,所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层。所述第一封装在所述基板的一侧上,其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层,并且所述第二封装在所述基板的另一侧上,其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层。所述第一封装与所述第二封装相对,其中,所述第一导电部分的第一区域的至少50%与所述第二导电部分的第二区域相对。
搜索关键词: 半导体 功率 模块 装置
【主权项】:
1.一种电子组件,包括:第一晶体管,所述第一晶体管被包围在第一封装中,所述第一封装包括具有第一区域的第一导电部分,所述第一晶体管被安装在所述第一导电部分上方;第二晶体管,所述第二晶体管被包围在第二封装中,所述第二封装包括具有第二区域的第二导电部分,所述第二晶体管被安装在所述第二导电部分上方;以及基板,所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层,所述第一金属层在所述基板的第一侧上并且所述第二金属层在所述基板的第二侧上;其中所述第一封装在所述基板的所述第一侧上,其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层;所述第二封装在所述基板的所述第二侧上,其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层;以及所述第一封装与所述第二封装相对,其中,所述第一导电部分的所述第一区域的至少50%与所述第二导电部分的所述第二区域相对。
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