[实用新型]多晶片封装结构有效
申请号: | 201320151857.4 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN203225249U | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 徐健;侯建飞;韩邵堂 | 申请(专利权)人: | 智瑞达科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 秦蕾 |
地址: | 215126 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种多晶片封装结构,其包括:基板,设有相对的第一表面和第二表面、设置于第一表面和第二表面上的若干导线、以及至少两个贯穿该第一表面和第二表面的窗口;至少两个DRAM晶片,设置于所述基板的第一表面上并分别覆盖每一所述窗口的一端;第一焊线,穿过所述窗口并电性连接所述DRAM晶片和所述基板的第二表面上的导线;第二晶片,叠置于所述DRAM晶片上;第二焊线,电性连接所述第二晶片和所述基板的第一表面上的导线;封装体,封装在所述基板上的DRAM晶片和第二晶片外围和基板的窗口外围并遮盖所述第一焊线和第二焊线。 | ||
搜索关键词: | 多晶 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种多晶片封装结构,其特征在于,所述多晶片封装结构包括:基板,设有相对的第一表面和第二表面、设置于第一表面和第二表面上的若干导线、以及至少两个贯穿该第一表面和第二表面的窗口;至少两个DRAM晶片,设置于所述基板的第一表面上并分别覆盖每一所述窗口的一端;第一焊线,穿过所述窗口并电性连接所述DRAM晶片和所述基板的第二表面上的导线;第二晶片,叠置于所述DRAM晶片上;第二焊线,电性连接所述第二晶片和所述基板的第一表面上的导线;封装体,封装在所述基板上的DRAM晶片和第二晶片外围和基板的窗口外围并遮盖所述第一焊线和第二焊线。
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