[实用新型]多晶片封装结构有效
| 申请号： | 201320151857.4 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN203225249U | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 徐健;侯建飞;韩邵堂 | 申请（专利权）人： | 智瑞达科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 秦蕾 |
| 地址： | 215126 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 封装 结构 | ||
1.一种多晶片封装结构，其特征在于，所述多晶片封装结构包括：
基板，设有相对的第一表面和第二表面、设置于第一表面和第二表面上的若干导线、以及至少两个贯穿该第一表面和第二表面的窗口；
至少两个DRAM晶片，设置于所述基板的第一表面上并分别覆盖每一所述窗口的一端；
第一焊线，穿过所述窗口并电性连接所述DRAM晶片和所述基板的第二表面上的导线；
第二晶片，叠置于所述DRAM晶片上；
第二焊线，电性连接所述第二晶片和所述基板的第一表面上的导线；
封装体，封装在所述基板上的DRAM晶片和第二晶片外围和基板的窗口外围并遮盖所述第一焊线和第二焊线。
2.根据权利要求1所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述多晶片封装结构还包括若干以表面焊接方式焊接在所述基板的第一表面上的电阻和电容。
3.根据权利要求1所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述多晶片封装结构还包括设置于所述基板的第一表面上的第三晶片以及电性连接所述第三晶片与基板的第一表面上的导线的第三焊线。
4.根据权利要求3所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述第三晶片的体积小于所述DRAM晶片的体积，并设置于所述DRAM晶片的旁侧。
5.根据权利要求3所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述多晶片封装结构还包括电性连接在所述第二晶片与基板的第一表面的导线之间的线路转接板，所述第二焊线包括电性连接所述第二晶片和线路转接板之间的第一连接线和电性连接所述线路转接板和基板的第一表面的导线的第二连接线。
6.根据权利要求5所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述线路转接板叠置于所述DRAM晶片上，并位于所述第二晶片的旁侧而与第二晶片位于同一平面上。
7.根据权利要求5所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述第三晶片为控制晶片，所述多晶片封装结构还包括若干连接所述线路转接板和第三晶片的第四焊线。
8.根据权利要求1至7项中任意一项所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述第二晶片为flash晶片或者CPU晶片或者多媒体晶片或者网络晶片。
9.根据权利要求1所述的多晶片封装结构，其特征在于：所述多晶片封装结构还包括若干个焊接在所述基板的第二表面上未设置所述封装体的区域的锡球。
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