[实用新型]半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件有效
| 申请号： | 201320118299.1 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242627U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | M.菲莱迈耶;W.佩因霍普夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件。一种半导体部件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；位于所述沟槽中的栅电极；以及位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极。所述源电极的宽度小于350nm。在这种情况下，由于晶体管单元的横向尺寸被剧烈缩小，因此能够降低器件的总导通电阻，进而改善器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 部件 垂直 mosfet igbt 结构 集成 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体部件，该半导体部件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；位于所述沟槽中的栅电极；以及位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极，其特征在于，所述源电极的宽度小于350 nm。
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