[发明专利]二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310755008.4 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103715185A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 贾文庆;王明辉;彭时秋 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了二极管及其制造方法。一种二极管可包括：金属板；以及一个或多个半导体二极管芯片，每个半导体二极管芯片夹在相邻的两块金属板之间，其中每个半导体二极管芯片包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括N掺杂层和在所述N掺杂层之上的P掺杂层，所述P掺杂层与所述N掺杂层之间形成PN结；以及覆盖所述半导体衬底上表面的第一电极层和覆盖所述半导体衬底下表面的第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层分别接触相邻的两块金属板。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管，其特征在于，包括：金属板；以及一个或多个半导体二极管芯片，每个半导体二极管芯片夹在相邻的两块金属板之间，其中每个半导体二极管芯片包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括N掺杂层和在所述N掺杂层之上的P掺杂层，所述P掺杂层与所述N掺杂层之间形成PN结；以及覆盖所述半导体衬底上表面的第一电极层和覆盖所述半导体衬底下表面的第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层分别接触相邻的两块金属板。
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