[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶显示器在审

专利信息
申请号: 201310732669.5 申请日: 2013-12-26
公开(公告)号: CN103943631A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 楼均辉 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;位于所述基板上方的多个像素单元,所述像素单元包括TFT、像素电极和公共电极,所述TFT包括形成在所述基板上的栅极以及形成在栅极上方的栅绝缘层,形成在所述栅绝缘层上方的有源层;形成在所述有源层上方的第一绝缘层;形成在所述像素电极上方的第二绝缘层,所述像素电极与所述有源层互相绝缘,其中,所述有源层与像素电极位于不同层。采用本发明的结构能完全避免现有技术在刻蚀形成像素电极时对有源层产生影响,进而薄膜晶体管器件更优异。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 液晶显示器
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;位于所述基板上方的多个像素单元,所述像素单元包括TFT、像素电极和公共电极,所述TFT包括形成在所述基板上的栅极以及形成在栅极上方的栅绝缘层,形成在所述栅绝缘层上方的有源层;形成在所述有源层上方的第一绝缘层,所述第一绝缘层为形成在所述有源层上方的钝化层,且所述第一绝缘层设有第一过孔;形成在所述像素电极上方的第二绝缘层,所述第二绝缘层为依次形成在所述像素电极上方的栅绝缘层和钝化层,且所述第二绝缘层设有第二过孔,所述像素电极与所述有源层互相绝缘;形成在所述第一和第二过孔之间的第一跨桥,以使所述像素电极与有源层电连接;所述公共电极形成在第二绝缘层上,且与所述第一跨桥位于同层其中,所述有源层与像素电极位于不同层。
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