[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。 

背景技术

通常，液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及填充于所述彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板之间的液晶。在彩膜基板上和/或薄膜晶体管阵列基板上包括有公共电极和像素电极，通过公共电极和像素电极产生的电场可以驱动液晶分子进行旋转，同时利用液晶的光学各向异性和偏振特点，以此显示图像信息。 

现有技术常规的薄膜晶体管阵列基板如图1所示，包括：一基板201；形成在基板201上方的栅极20214；形成在栅极20214上方的栅绝缘层20215；形成在栅绝缘层20215上方的有源层20211；形成在栅绝缘层20215上方且分别与有源层20211电连接的源极20218和漏极20219；形成在栅绝缘层20215上方，且与漏极20219电连接的像素电极2022，形成在源极20218、漏极20219和像素电极2022上方的钝化层20212b；以及形成在钝化层层20212b上，且位于像素电极2022上方的公共电极层2023。 

该薄膜晶体管结构存在的问题是刻蚀形成像素电极的步骤中，有源层也会被进一步刻蚀，且有源层和栅绝缘层之间的截面会受到形成像素电极所用蚀刻夜的刻蚀，导致该截面缺陷增加，从而影响氧化物半导体器件的性能。 

发明内容

本发明为了解决上述问题，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括： 

基板； 

位于所述基板上方的多个像素单元，所述像素单元包括TFT、像素电极和公共电极，所述TFT包括形成在所述基板上的栅极以及形成在栅极上方的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层上方的有源层； 

形成在所述有源层上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层为形成在所述有源层上方的钝化层，且所述第一绝缘层设有第一过孔； 

形成在所述像素电极上方的第二绝缘层，所述第二绝缘层为依次形成在所述像素电极上方的栅绝缘层和钝化层，且所述第二绝缘层设有第二过孔，所述像素电极与所述有源层互相绝缘； 

形成在所述第一和第二过孔之间的第一跨桥，以使所述像素电极与有源层电连接； 

所述公共电极形成在第二绝缘层上，且与所述第一跨桥位于同层 

其中，所述栅极与像素电极位于不同层。 

可选地，所述像素电极与所述有源层同层设置。 

可选地，所述有源层可选自铟镓锌氧化物、铟铝锌氧化物，铟钛锌氧化物和铟锌氧化物中的一种或几种。 

可选地，所述有源层的厚度为300～2000埃。 

可选地，所述公共电极为条状电极。 

采用上述本发明的技术方案得到的阵列基板，相较现有技术可省一道光罩。 

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法：包括： 

步骤A：提供一基板： 

步骤B：在所述基板上形成图案化的栅极以及像素电极，并在所述栅极和像素电极上方沉积第一绝缘材料，形成栅绝缘层； 

步骤C：在所述栅绝缘层上沉积半导体材料，并图案化形成位于栅极上 方的有源层； 

步骤D：在所述有源层上方沉积第二金属层，并图案化形成与所述有源层电连接的第一导电电极和第二导电电极； 

步骤E：在所述有源层和栅绝缘层上方沉积第二绝缘材料，形成钝化层； 

步骤F：在位于第一或第二导电电极以及像素电极上方，分别刻蚀形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露部分第一或第二导电电极，上述第二过孔暴露部分像素电极；并在钝化层上沉积第二透明导电材料，并图案化形成第一跨桥以及公共电极，其中，所述第一跨桥通过所述第一过孔和第二过孔使所述有源层和像素电极层电连接。 

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法：包括： 

步骤A：提供一基板： 

步骤B：在所述基板上形成图案化的栅极以及像素电极，并在所述栅极和像素电极上方沉积第一绝缘材料，形成栅绝缘层； 

步骤C：在所述栅绝缘层上方沉积第二金属层，并图案化形成第一导电电极和第二导电电极； 

步骤D：在所述第一和第二导电电极上沉积氧化物半导体材料，并图案化形成位于栅极正上方的有源层，所述有源层与所述第一和第二导电电极电连接； 

步骤E：在所述有源层和栅绝缘层上方沉积第二绝缘材料，形成钝化层；