[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板；

位于所述基板上方的多个像素单元，所述像素单元包括TFT、像素电极和公共电极，所述TFT包括形成在所述基板上的栅极以及形成在栅极上方的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层上方的有源层；

形成在所述有源层上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层为形成在所述有源层上方的钝化层，且所述第一绝缘层设有第一过孔；

形成在所述像素电极上方的第二绝缘层，所述第二绝缘层为依次形成在所述像素电极上方的栅绝缘层和钝化层，且所述第二绝缘层设有第二过孔，所述像素电极与所述有源层互相绝缘；

形成在所述第一和第二过孔之间的第一跨桥，以使所述像素电极与有源层电连接；

所述公共电极形成在第二绝缘层上，且与所述第一跨桥位于同层

其中，所述有源层与像素电极位于不同层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述TFT还包括在所述有源层与钝化层之间，且与所述有源层电连接的第一导电电极和第二导电电极。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述TFT还包括在所述有源层与栅绝缘层之间，且与所述有源层电连接的第一导电电极和第二导电电极。

4.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于：所述第一导电电极为源极，所述第二导电电极为漏极；或者，所述第一导电电极为漏极，所述第二导电电极为源极。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述像素电极与所述栅极同层设置。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述钝化层的材料为SiNx层，或SiO2和SiNx的复合层，所述栅极的材料为Cr、Mo、Al、Ti和Cu中的一种或多种金属的合金，所述公共电极和跨桥的材料为ITO；所述有源层为氧化物半导体材料。

7.一种阵列基板的制造方法：包括：

步骤A：提供一基板：

步骤B：在所述基板上形成图案化的栅极以及像素电极，并在所述栅极和像素电极上方沉积第一绝缘材料，形成栅绝缘层；

步骤C：在所述栅绝缘层上沉积半导体材料，并图案化形成位于栅极上方的有源层；

步骤D：在所述有源层上方沉积第二金属层，并图案化形成与所述有源层电连接的第一导电电极和第二导电电极；

步骤E：在所述有源层和栅绝缘层上方沉积第二绝缘材料，形成钝化层；

步骤F：在位于第一或第二导电电极以及像素电极上方，分别刻蚀形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露部分第一或第二导电电极，上述第二过孔暴露部分像素电极；并在钝化层上沉积第二透明导电材料，并图案化形成第一跨桥以及公共电极，其中，所述第一跨桥通过所述第一过孔和第二过孔使所述有源层和像素电极层电连接。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：在所述步骤B中，连续沉积第一透明导电层、第一金属层，之后在两次刻蚀工艺中分别形成所述栅极以及像素电极的图案。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：在所述步骤B中，首先沉积第一金属层，刻蚀形成所述图案的栅极；再沉积第一透明导电层，刻蚀形成所述图案的像素电极；或者，首先沉积第一透明导电层，刻蚀形成所述图案的像素电极；再沉积第一金属层，刻蚀形成所述图案的栅极。

10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述第一导电电极为源极，所述第二导电电极为漏极；或者，所述第一导电电极为漏极，所述第二导电电极为源极。