[发明专利]存储装置及包括其的存储系统和存储装置的操作方法有效
| 申请号： | 201310729013.8 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104112467B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 宋清基 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08;G11C17/16;G11C29/44;G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储装置包括存储器单元阵列，具有多个存储器单元；储存单元，适用于储存与存储器单元阵列中的失效存储器单元相对应的失效地址；可用储存容量判断单元，适用于产生指示储存单元中的可用储存容量的可用容量信息；以及输出电路，适用于输出可用容量信息。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 包括 存储系统 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有多个存储器单元；储存单元，适用于储存与所述存储器单元阵列中的失效存储器单元相对应的失效地址；可用储存容量判断单元，适用于产生指示所述储存单元中的可用储存容量的可用容量信息；输出电路，适用于输出所述可用容量信息；以及命令解码器，适用于在正常模式中，通过将输入至所述存储装置的命令信号解码来产生激活命令、预充电命令、读取命令和写入命令，以及在修复模式中，产生用于指示额外失效地址被输入至所述存储装置的修复激活命令和将所述额外失效地址写入到所述储存单元的修复写入命令，其中，所述额外失效地址响应于所述修复激活命令而被暂时储存在所述存储装置中，以及暂时储存的额外失效地址响应于所述修复写入命令而被编程到所述储存单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310729013.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种航空航天用超五类耐高温特种电缆
- 下一篇：有机发光二极管显示器
- 同类专利
- 用于读出放大器的控制信号发生器和包括其的存储器设备-201910136776.9
- 阿图尔.安东尼杨;郑铉泽 - 三星电子株式会社
- 2019-02-25 - 2019-09-27 - G11C7/08
- 提供了一种用于读出放大器的控制信号发生器，该控制信号发生器包括复制电路，该复制电路包括与读出放大器中包括的晶体管相对应的复制晶体管并且被配置为接收读出放大器的至少一个输入信号和用于使能读出放大器的读出操作的第一控制信号；以及放大电路，被配置为通过放大来自复制电路的输出信号来输出用于在读出操作被使能之后使能读出放大器的放大操作的第二控制信号。
- 读取余量控制电路、包括其的存储器控制器和电子设备-201910018759.5
- 蔡官烨;朴相勋 - 三星电子株式会社
- 2019-01-09 - 2019-07-16 - G11C7/08
- 提供读取余量控制电路。读取余量控制电路包括：延迟电路，延迟数据输入/输出信号并生成具有彼此不同相位的延迟信号；采样器，基于数据选通信号对延迟信号进行采样以生成采样值；以及确定器，被配置为基于采样值确定数据输入/输出信号的数据有效窗口。
- 选择性感测放大器的使能-201580035365.0
- M.A.德阿布雷乌 - 桑迪士克科技有限责任公司
- 2015-07-02 - 2019-07-12 - G11C7/08
- 一种方法包括，在数据存储装置中接收读取命令以读取存储器的字线的一部分。该方法还包括决定字线的第一和最后储存元件以识别储存元件的组。该方法包括决定耦接到字线的多个感测放大器的第一组和第二组感测放大器。第一组感测放大器耦接到储存元件的组，并且第二组感测放大器耦接到字线的与第一储存元件的组不同的一个或多个储存元件。该方法包括通过施加读取电压到字线且提供感测使能信号到第一组感测放大器的每个感测放大器而禁用第二组感测放大器的每个感测放大器，读取数据。
- 用于存储器装置中的读出放大器的自定时器-201380075447.9
- Y.周;K.岳;X.钱;B.盛 - 硅存储技术公司
- 2013-03-15 - 2019-01-29 - G11C7/08
- 本发明公开了一种用于存储器装置中的读出放大器的自定时器。
- 感测放大器和写驱动器使能方案-201780019436.7
- T·C·Y·郭;晶昌镐 - 高通股份有限公司
- 2017-02-27 - 2018-11-23 - G11C7/08
- 提出了一种存储器和一种用于操作该存储器的方法。存储器包括存储器单元、被配置成从存储器单元感测读数据的感测放大器、被配置成向存储器单元提供写数据的写驱动器、被配置成在一个时间段期间使能感测放大器的第一电路以及被配置成在该时间段的至少一部分期间使能写驱动器的第二电路。方法包括在一个时间段期间使能感测放大器以从存储器单元感测读数据，以及在该时间段的至少一部分期间使能写驱动器以向存储器单元提供写数据。提出了另一种存储器和一种用于操作该存储器的方法。存储器和方法还包括地址输入电路，地址输入电路被配置成在感测放大器被使能时接收写地址。
- 存储器装置的功率管理-201480009430.8
- H.Q.阮;H.V.特兰;H.T.阮 - 硅存储技术公司
- 2014-01-15 - 2018-06-05 - G11C7/08
- 本发明公开了一种用于在存储器装置中执行功率管理的改进方法和设备。用在存储器装置中的功率管理电路包括：系统装置时钟，其用于生成时钟信号；计时电路，其用于识别时间间隔；第一电路，其用于接收时钟信号并统计时间间隔内的时钟信号的脉冲；第二电路，其用于响应于计数器电路的输出来改变读出放大器的偏置电压。
- 存储装置及包括其的存储系统和存储装置的操作方法-201310729013.8
- 宋清基 - 爱思开海力士有限公司
- 2013-12-25 - 2018-03-13 - G11C7/08
- 一种存储装置包括存储器单元阵列，具有多个存储器单元；储存单元，适用于储存与存储器单元阵列中的失效存储器单元相对应的失效地址；可用储存容量判断单元，适用于产生指示储存单元中的可用储存容量的可用容量信息；以及输出电路，适用于输出可用容量信息。
- 感测放大器使能信号生成电路-201720409517.5
- K·J·多里;V·库玛;A·库玛 - 意法半导体国际有限公司
- 2017-04-18 - 2018-01-12 - G11C7/08
- 本公开涉及一种感测放大器使能信号生成电路，包括耦合至存储器的虚拟位线的输入端。电压比较器电路将该虚拟位线上的电压与阈值电压进行比较并在该电压下降低于这个阈值电压时生成输出信号。多位计数器电路响应于该输出信号计数一个计数值。上拉电路响应于该输出信号对该虚拟位线上的该电压进行上拉。计数比较器电路将该计数值与计数阈值进行比较并在该计数值等于该计数阈值时生成感测放大器使能信号。
- 半导体存储装置-201210544437.2
- 林奎南;张雄周 - 爱思开海力士有限公司
- 2012-12-14 - 2017-06-09 - G11C7/08
- 本发明公开了一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括第一感测放大单元，所述第一感测放大单元包括第一反相器和第二反相器，被配置成驱动至电源驱动信号和接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构；以及第二感测放大单元，所述第二感测放大单元包括第一晶体管和第二晶体管，被配置成当施加激活的开关信号时驱动至接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构，其中，第二感测放大单元的阈值电压被设定成比第一感测放大单元的阈值电压低。
- 电器产品及其控制方法-201310450269.5
- 金武承;金良桓 - LG电子株式会社
- 2013-09-27 - 2016-11-23 - G11C7/08
- 本实施例涉及电器产品及其控制方法。上述电器产品包括：识别装置，能够获得识别对象的图像，控制部，从上述识别装置获得的图像中识别物品信息，将所识别到的物品信息与存储于存储部的信息进行比较，以及显示部，用于显示比较结果；在上述所识别到的物品信息与存储于上述存储部的信息相一致的情况下，上述控制部将与所识别到的物品信息相对应的类别信息显示于上述显示部。
- 读出放大器-201310217369.3
- 张圣波;杨光军 - 上海宏力半导体制造有限公司
- 2013-06-03 - 2013-08-28 - G11C7/08
- 本发明公开一种读出放大器，至少包括：读出放大电路，连接于所选中的存储单元的位线，用于将所选中的存储单元的内容放大读出；位线电压跟随电路，连接于该读出放大电路的两个开关管之间，并与选中存储单元位线的相邻位线相连，以使各位线的位线电压的输入电压跟随相同；以及跟随电路预充电电路，连接于位线电压跟随电路及预充电选通信号，以在该预充电选通信号的控制下进行预充电，通过本发明，可以实现高速准确读出所选单元的存储值的目的。
- 一种抗辐照存储器跟随剂量适应性调节装置-201310098852.4
- 邓玉良;王艳东;刘云龙;李洛宇;罗春华;李孝远 - 深圳市国微电子有限公司
- 2013-03-26 - 2013-07-17 - G11C7/08
- 本发明适用于抗辐照存储器，提供了一种抗辐照存储器跟随剂量适应性调节装置，包括基准电压调整电路，与灵敏放大器相连，调整灵敏放大器基准电压的大小，从而改变灵敏放大器增益；偏置电流调整电路，与所述灵敏放大器相连，调整灵敏放大器偏置电流的大小；辐照检测电路，用于检测辐照剂量的变化并把产生的控制信号发送给所述基准电压调整电路和所述偏置电流调整电路。所述的抗辐照存储器跟随剂量适应性调节装置采用实时检测及动态调整方式对存储器电路进行加固，能够根据实时检测到的辐照剂量大小，对灵敏放大器阈值进行相应的调整，既能够保证电路在辐照条件下仍然能够正常工作，又不会因为过调整导致存储器读出数据错误。
- 用于跟踪半导体存储器读取电流的可编程跟踪电路-201180022206.9
- 王忠泽 - 高通股份有限公司
- 2011-04-05 - 2013-01-09 - G11C7/08
- 一种实例存储器装置包含存储器阵列、感测放大器和跟踪电路。所述存储器阵列由多个存储器单元形成。所述感测放大器用于存取所述存储器阵列。所述跟踪电路用于跟踪所述存储器阵列的存储器读取电流。所述跟踪电路包括一列或一列以上跟踪单元。每一列耦合到对应的位线以在所述位线上提供用于触发所述感测放大器的存储器读取操作的驱动电流。所述列中的至少一者包括彼此串联连接的两个跟踪单元。
- 多值存储电路的读取电路及读取方法-201210016651.0
- 王源;高晓敏;何燕东;杜刚;康晋锋;张兴 - 北京大学
- 2012-01-18 - 2012-07-04 - G11C7/08
- 本发明公开了一种多值存储电路的读取电路及读取方法，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器分别接收选中单元和不同参考单元的信号，所述第二灵敏放大器的输出端输出MSB信号，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的栅极接收MSB信号，所述第一灵敏放大器的输出端连接n型MOS晶体管的源极，所述第三灵敏放大器的输出端连接p型MOS晶体管的源极，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的漏极并联输出LSB信号。与现有的并行读取电路相比，本发明具有面积小、读容限大的优点，与现有的串行电路相比，本发明具有结构简单、速度快、功耗低的特点。
- 采用电平和斜率检测的自定时电流积分方案-201110373393.7
- U.巴克豪森;M.耶弗雷莫;T.克恩;U.门齐加尔 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2011-11-22 - 2012-05-30 - G11C7/08
- 本发明涉及采用电平和斜率检测的自定时电流积分方案。本发明的一些实施例涉及一种感测放大器，其配置为确定位线充电电压的斜率并使用所确定的斜率结合电压电平感测方案来协助从与位线相关联的存储器单元读取数据。尤其，感测放大器电路配置为确定位线充电电压的斜率并基于所确定的斜率来调节提供给感测放大器的位线电压的斜率（例如通过向配置为对位线充电的存储器单元电流添加动态斜率相关电流）。通过调节位线电压的斜率，能够增加处于低电阻状态（例如具有高单元电流并因此具有良好SNR）的存储器单元的充电速度。
- 使用多个电压域的电路中的信号路径延迟的自调谐-200980150177.7
- 蔡贾名;史蒂芬·艾德华·李莱斯 - 高通股份有限公司
- 2009-12-11 - 2011-11-16 - G11C7/08
- 本发明揭示在多个电压域中提供的包括对信号路径的自调谐或定时的电路和方法。在所述电路中提供多个路径。每一路径横穿所述多个电压域的一部分，所述部分可包括所述多个电压域中的任何数目个电压域或其组合。所述路径中的每一者具有响应于所述多个电压域中的至少一者的延迟。延迟电路经提供和配置以产生与所述多个路径中的所述延迟相关的延迟输出。以此方式，根据所述多个路径中的所述延迟自调谐或调整所述延迟电路的所述延迟输出。此自调谐可特别适合于控制第一信号路径相对于第二信号路径的延迟，其中在操作期间所述路径中的所述延迟可相对于彼此而变化。
- 存储器及其读取方法-200910003490.X
- 何文乔;张钦鸿;张坤龙;洪俊雄 - 旺宏电子股份有限公司
- 2009-01-15 - 2010-03-10 - G11C7/08
- 本发明公开了一种存储器及其读取方法。该存储器包括多个存储器区，每一个存储器区包括一目标存储单元、一源极线、一位线以及一读取控制电路。源极线耦接至目标存储单元的第一端。位线耦接至目标存储单元的第二端。读取控制电路用以选择性地施加一工作电压至源极线。
- 具有单端读出放大器的半导体器件-200910128944.6
- 梶谷一彦;吉田宗一郎 - 尔必达存储器株式会社
- 2009-03-17 - 2009-09-23 - G11C7/08
- 本发明提供了一种具有单端读出放大器的半导体器件。补偿了制造工艺、电源电压、接合点温度和造成变化的其它因素，并防止了读出放大器的操作裕度减小。具有分级位线结构的半导体存储器件中的单端读出放大器包括：第一MOS晶体管，其用于放大从存储单元输出到位线的信号；第二MOS晶体管，其用于将第一MOS晶体管的输出供给到全局位线；以及全局位线电压确定电路；并且通过包括第一MOS晶体管的复制品和全局位线电压确定电路的复制品的延迟电路的输出信号，来控制至少第二MOS晶体管的导通/截止时序或者包括全局位线电压确定电路的全局读出放大器的读取时序。
- 具有可配置延迟跟踪的存储器装置-200780037949.7
- 金圣克;杨赛森;韩伊 - 高通股份有限公司
- 2007-10-25 - 2009-09-02 - G11C7/08
- 本发明描述一种具有可配置延迟跟踪的存储器装置。所述存储器装置包括M个正规字线驱动器、虚设字线驱动器、存储器阵列、N个读出放大器和时序控制电路。所述存储器阵列包括M行和N列存储器单元以及列虚设单元。所述字线驱动器驱动用于所述行存储器单元的字线。所述虚设字线驱动器驱动用于所述列虚设单元中的至少一个虚设单元的虚设字线。所述时序控制电路产生具有可配置延迟的启用信号，可使用加速电路获得所述可配置延迟，所述加速电路提供用于耦合到所述列存储器单元的虚设位线的可变驱动。所述读出放大器基于所述启用信号检测用于所述列存储器单元的位线。
- 半导体存储装置和控制该半导体存储装置的方法-200810178205.3
- 高桥弘行 - 恩益禧电子股份有限公司
- 2008-11-14 - 2009-05-20 - G11C7/08
- 本发明涉及一种半导体存储装置和控制该半导体存储装置的方法。本发明的示例性方面是读出放大器，其具有1.2V或更低的电源电压并且放大位线对之间的电位差；第一晶体管，将电源电压供应到读出放大器；第二晶体管，将低电位侧电压供应到读出放大器；以及控制电路，将第一晶体管控制为在第二晶体管被设置成导通状态之前或在第二晶体管被设置成导通状态的同时处于导通状态。
- 专利分类
