[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，提供一衬底；在衬底上依次形成半导体层、硅附加层和光刻掩膜层；在硅附加层上部分区域刻蚀，沿硅（111）晶面形成斜截面，与未被刻蚀的硅（100）晶面构成梯形凹槽，直至暴露出所述半导体层；最后在上述凹槽中沉积金属形成电极。本发明的方法制造的半导体器件利用硅附加层所具有的刻蚀过程中各向异性的特点来控制和优化电极结构和形状，可以改善半导体层的电场分布，从而提高器件的击穿电压；同时，也可以有效的减小器件的电极尺寸，进一步改善器件的频率特性等。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)提供一衬底；(2)在上述衬底上形成半导体层；(3)在上述半导体层上依次形成钝化层和硅附加层；(4)在上述硅附加层上形成光刻掩膜层；(5)去除至少部分上述光刻掩膜层，使上述硅附加层暴露，在上述硅附加层上暴露的区域刻蚀，沿硅(111)晶面形成斜截面，与未被刻蚀的硅(100)晶面构成梯形凹槽，刻蚀直至暴露出上述钝化层，继续刻蚀上述梯形凹槽下方的上述钝化层，在上述钝化层中形成凹槽，刻蚀直至暴露出上述半导体层；(6)去除上述光刻掩膜层，在上述梯形凹槽和上述凹槽中沉积金属形成电极；以及(7)去除上述硅附加层。