[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)提供一衬底；

(2)在上述衬底上形成半导体层；

(3)在上述半导体层上依次形成钝化层和硅附加层；

(4)在上述硅附加层上形成光刻掩膜层；

(5)去除至少部分上述光刻掩膜层，使上述硅附加层暴露，在上述硅附加层上暴露的区域刻蚀，沿硅(111)晶面形成斜截面，与未被刻蚀的硅(100)晶面构成梯形凹槽，刻蚀直至暴露出上述钝化层，继续刻蚀上述梯形凹槽下方的上述钝化层，在上述钝化层中形成凹槽，刻蚀直至暴露出上述半导体层；

(6)去除上述光刻掩膜层，在上述梯形凹槽和上述凹槽中沉积金属形成电极；以及

(7)去除上述硅附加层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤(3)中，所述硅附加层的(100)晶面与半导体层的水平平面成-35～35度的夹角。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤(3)中，所述硅附加层通过沉积、外延生长和晶片键合中的一种或几种方法形成。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：上述钝化层包括氮化硅、硅锗氮、硅铝镓氮、硅铝氧、铝镁氧氮、硅铝氮和二氧化硅中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤(3)形成硅附加层之后，在硅附加层上形成介质层，再在介质层上形成光刻掩膜层，并在硅附加层刻蚀形成梯形凹槽后对介质层进行刻蚀。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤(4)中，所述光刻掩膜层为光刻胶、氮化硅、硅锗氮、硅铝镓氮、硅铝氧、铝镁氧氮、硅铝氮和二氧化硅中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤(6)中，在沉积金属形成电极之前，先沉积介质层形成作为金属电极与半导体层之间的绝缘介质层。

8.一种由权利要求1所述的制造方法制造的半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的半导体层；

位于所述半导体层上的钝化层；

以及在所述钝化层上刻蚀形成的凹槽和沉积在所述凹槽内的电极，其中所述电极上端两侧悬空。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：在所述硅附加层之上还设有介质层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述介质层为氮化硅、硅锗氮、硅铝镓氮、硅铝氧、铝镁氧氮、硅铝氮和二氧化硅中的一种或几种。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述衬底为硅、碳化硅、锗、蓝宝石上硅或蓝宝石。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体层为硅、锗、锗硅、III族砷化物、III族磷化物和III族氮化物中的一种或几种。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述电极形状为T型或Γ型。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述电极具有场板结构。