[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201310705330.6 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103700668A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 姜清华;李小和;李红敏;吴翟;董职福 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置,其中阵列基板包括:玻璃基板,在像素显示区域玻璃基板的上方从下向上依次是完全覆盖玻璃基板的公共电极层和绝缘层,不完全绝缘层的栅电极,完全覆盖栅电极的栅绝缘层,栅绝缘层上方设置有源层以及在数据线层上形成位于栅电极两侧的源电极和漏电极。本发明中的阵列基板改变现有制作工艺步骤,首先在玻璃基板上制作一层透明导电薄膜和绝缘层经过一次构图工艺得到公共电层和绝缘层,之后再继续制作栅绝缘层和有源层,在制作过程中只需要四次构图工艺就能形成ADS型阵列基板,比传统技术少一次曝光工艺,提高设备产能,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:玻璃基板(0),在像素显示区域玻璃基板(0)的上方从下向上依次是完全覆盖玻璃基板(0)的公共电极层(1)和绝缘层(2),不完全绝缘层(2)的栅电极(3),完全覆盖栅电极(3)的栅绝缘层(4),栅绝缘层(4)上方设置有源层(5)以及在数据线层上形成位于栅电极(3)两侧的源电极(6)和漏电极(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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